单管本征增益的仿真

UESTC-ADC · 发表于 2014-4-1 13:27:51

为了提取工艺参数进行后续电路设计，现在必须提取gm/gds这个参数，也就是MOS管的本征增益。要求是在一个固定的Vds下扫描Vgs值，得出gm/gds随Vgs的变化曲线，这个仿真电路应该怎么搭？主要是在Cadence下怎么得出gm和gds随Vgs的变化关系。那位仁兄能帮忙解答一下。

sjun · 发表于 2014-4-1 19:38:29

直流仿真，用参数扫描的方法，gm的值可以通过calculator下的info选项卡里面的op获得，详细参考使用手册。

univerw · 发表于 2014-4-1 23:52:32

楼上正解~

hujiaomianhao · 发表于 2014-4-2 11:52:36

楼上正解~

klng1025 · 发表于 2014-7-11 09:40:49

op 那个管子，出来一个list，里头怎么没有gm？vds vgs vth 什么的都有，哪个是gm？

lzbasd1000 · 发表于 2014-7-11 13:08:16

gm在上面了，仔细看一下就有了

klng1025 · 发表于 2014-7-11 13:27:54

回复 6# lzbasd1000

没有啊

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