直接连接OTA到pad，结果会如何？

grusher

由于量产时不存在这个pad，可以不加ESD。但是需要在N1、P6的外围加两圈guard ring，同时MOS管的gate端串保护电阻，至少拿芯片时穿静电服、戴静电环、使用防静电的设备仪器损坏的概率不高 ~_~，存放和测试的时候小心点就是了。HBM和MM就别想了，当然也用不到。
也有可能是我们想太多了，说不定芯片还开始测，在运送、封装、绑定或者焊接的时候一不小心就坏了。。。
个人建议是加esd，并且做成两级ESD。毕竟是MOS管的栅输入，再同时增加管子尺寸，降低触发ESD的几率。包括前面提到的用ESD rule去Layout、probe-pad都是很好的建议。

hyleeinhit

   

由于量产时不存在这个pad，可以不加ESD。但是需要在N1、P6的外围加两圈guard ring，同时MOS管的gate端串保护 ...
grusher 发表于 2014-1-26 21:46

                               
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   多谢！

hyleeinhit

   

回复  hyleeinhit

既然是pad总得接示波器测吧，考虑一下探头电容。
grusher 发表于 2014-1-26 21:17

                               
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测试时会接一个MOS buffer的

hszgl

回复 37# tmdyumf


    如果你觉得我说的不对，你可以用资料和理论来证明你的观点。同时你也需要回答一下我的问题：N3和P4也在放电通路上，为何不对这两个管子也做保护？

    就你说的这些，于实际又有何用？

tmdyumf

回复 44# hszgl


    因为你没有了解我做2级ESD保护的真正用意，就开始说我做的是错误的，所以我也不准备再探讨下去了。

hszgl

回复 45# tmdyumf


    那阁下不妨解释一下您的“真正用意”？

Golden_Hawk

回复 24# hszgl

加电阻是为了防止CDM，电阻大小需要根据工艺手册定，不同工艺要求的大小不同，比如65纳米tsmc工艺要求该电阻值不小于200欧姆

Golden_Hawk

回复 44# hszgl

N3， P4，在两种情况下会和PAD有通路：
1.电路工作的时候
2， 电路被击穿的时候
而ESD防护目前主要是针对电路不上电时的情况，因此，N3，P4不会和PAD有通路。
P.S.：如果需要电路工作时的防护，那必须在IO电路里保护，否则一切没有意义。

Golden_Hawk

1，器件漏电流的大小在工艺手册里都有，不是相同工艺无法回答你
2，会存在击穿危险，比如bonding的时候，如果不做防护措施。还有把芯片焊接到pcb上的时候也会有ESD。
   如果单纯测试用的话，有些情况在芯片上可以不用ESD防护电路，但是防护措施要做好，要先把pcb上的电路焊好，最后一步才焊芯片。即便如此还是会有风险，需要多准备几片。