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发表于 2014-1-25 09:38:33
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回复 1# hyleeinhit
如果你是學生自己 layout ..那何不多做幾個版本
1. 一般 OTA 只有 probe
probe PAD 是下針 不bonding
2. OTA + Bonding PAD .
3. OTA + buffer + Bonding PAD
至於 ESD leakage , 會打 esd ?? 一般打 esd 後漏 > 1ua 都判是 esd fail . 如果跟本不會去 ESD .
另外為何電流設計如此小??
mos mirror simulation 0.5ua ok , chip 是OK . 但是 如果你做到 0.1ua .. 心得是 current mirror 會 fail 很高
你跟本模擬不出來, 除非你加入 monte carlon 去調不同 mos Vth . simulation 本來就是一樣 device model .
a mos 跟 b mos 在 model 上是一樣 Vth ,但實際 LAYOUT 上和 process 後是有差.
如果你是 高壓 mos 30~40v mos ..MIRROR 電流小於 1ua 內都會有很高風險 .
.光 start up 都可能起不來. 這些模擬都看不到. |
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