如何仿真CMOS开关的导通电阻

abonic · 发表于 2013-11-27 11:08:27

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如何仿真CMOS开关的导通电阻

heeda · 发表于 2013-11-27 20:39:58

1/gm?

abonic · 发表于 2013-12-6 09:21:18

回复 2# heeda
不是，是那条马鞍曲线

zhanglei890911 · 发表于 2013-12-6 13:26:44

${L22)E9O@_TGBR0KUAA1EES.jpg$ 我用的是这种跑法，这是针对只当作开关，两端没有压降。给定vin值，在低频做ac仿真，算出来等效电阻并取实部：res=real（1/i）并在低频范围算平均（可以看到低频时候阻抗不变）,这时候就能得出在此电压下，开关的等效阻抗了，那么扫vin的输入，就能得到开关电阻对电压的关系，能看到你说的马鞍曲线，但是马鞍曲线对前提是你p，n的阻抗在电压范围内对称。如果前面一个峰没起来，增大p的w值，第二个峰没起来，那就增加n的w。

hsh22 · 发表于 2013-12-6 16:38:45

DC sweep

fuyibin · 发表于 2013-12-6 17:41:18

本帖最后由 fuyibin 于 2013-12-6 17:42 编辑

回复 4# zhanglei890911

在低压下LP工艺哪里来什么马鞍曲线，都是两头最小中间最高，而且是大一个数量级
马鞍曲线只是使用与VDD>>vthn+vthp的case下
不能这么教条的看这个峰那个峰的，还是要理解本质的为好

zhanglei890911 · 发表于 2013-12-9 09:02:44

人家只是想验证一下书上的理论，难道PNmos的传输门没有这种特性？请问你的中间最高又是怎么得来的呢?

zhanglei890911 · 发表于 2013-12-9 09:04:26

回复 6# fuyibin

大数量级。。。。开关导通电阻是个大数量级？

zhanglei890911 · 发表于 2013-12-9 09:38:21

回复 6# fuyibin

当然你的本质理解的很深刻，但是在理解本质之前，我觉得要先把眼睛睁大，看清楚楼主想问的，楼主只是想去验证一下书上的理论，.18工艺下的3.3V高压管我验证可以跑出来马鞍曲线（tt 常温 power3.3V）（280Ohm-440Ohm），或许我仿真的方法不对，但是我只是提出我的个人意见。可能用的工艺比较烂，仿真条件给的比较好，让大神见笑了。

布小孩 · 发表于 2013-12-11 19:29:44

好高端。。。。

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