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查看: 8380|回复: 19

[求助] 求助大神:DC-DC的功率低PGND和模拟地AGND需要隔离吗?

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发表于 2013-11-18 15:20:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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求助大神:DC-DC的功率低PGND和模拟地AGND需要隔离吗?它们中间是否需要 NMOAT隔离,隔离后 PGND和AGND之间的间距有要求吗 ?
不胜感激!!
 楼主| 发表于 2013-11-18 17:41:00 | 显示全部楼层
自己顶一个
发表于 2013-11-19 12:41:49 | 显示全部楼层
本帖最后由 math123 于 2013-11-19 12:47 编辑

楼主的意思是噪声隔离还是latch up啊?下面提供两个常压DC-DC的NMOS隔离环例子

第一个是面积要求不高的芯片,1-5接 power gnd,6接 power vcc


1.jpg

2.jpg


第二个芯片1接power gnd ,2和3接衬底gnd,奇怪的是1的宽度很小。。。总之guard ring做宽些没坏处


3.jpg

layout2.jpg
发表于 2013-11-19 17:23:03 | 显示全部楼层
这个隔离是必须的,功率管的地相对较脏
发表于 2013-11-19 17:58:25 | 显示全部楼层
i do not know Agnd and Pgnd need separation and what is used for sepration,i just know double ring is only need for latch up .
u only need to do is make the resistance of Pgnd line and contact near zero.
发表于 2013-11-19 21:30:37 | 显示全部楼层
我设计了一块没搞隔离。正在tapeout还没回来。关注你这个问题,回来测试了再来讨论。
发表于 2013-11-19 21:31:26 | 显示全部楼层
回复 3# math123


    这是你自家的图还是反向的图?
发表于 2013-11-19 22:22:37 | 显示全部楼层
回复 3# math123

NWELL接GND?不是应该接VDD吗?
发表于 2013-11-20 00:11:42 | 显示全部楼层
回复 7# hszgl

反向的图片



NWELL接GND?不是应该接VDD吗?



当功率NMOS的漏极电压比地低一个VBE的时候,这样漏极-衬底-接GND的NWELL就形成了npn,电流从power gnd进入电感,不会影响其它电路。

可能接法看实际情况,如果是衬底被拉高超过VBE,或者NWELL接power VDD比较合适
发表于 2013-11-20 11:22:31 | 显示全部楼层
回复 9# math123


    学习了,多谢~
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