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[求助] 开关管长度的设计如何考量?

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发表于 2013-11-12 09:11:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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VCO的DCCA中,用到的NMOS开关管,它的长度是如何考量的??
若用最小长度,我扫一下它的W大概为4u的时候(TSMC-0.13rf),就能有较为理想的开关效果。

那么它的长度选择如何选, 基于工艺偏差取长管???
横轴W,纵轴C,蓝线是Vgs=1.2,红线Vgs=0,mim电容158f。当W大概为4u的时候,开关前后电容达到较大值,再增大W效果增加缓慢




QQ图片20131112091505.jpg QQ图片20131112091400.jpg
发表于 2013-11-12 10:22:50 | 显示全部楼层
不知道你的应用对漏电敏感么,这个要查一下工艺文档进行计算
 楼主| 发表于 2013-11-12 10:45:30 | 显示全部楼层
回复 2# could5


    能具体一点吗?L 越短不是Vt越大,防漏电性能越好啊
发表于 2013-11-12 11:24:55 | 显示全部楼层
回复 3# JoyShockley


    只要vgs足够小,沟道离形成还远着呢,Vt的影响就没这么大。主要漏电是反偏结的漏电,vds大了耗尽区也变大,沟道越短这个耗尽区就离另外一个N+更近,漂过去的电子就越多,甚至还有隧过去的
 楼主| 发表于 2013-11-12 11:52:09 | 显示全部楼层
回复 4# kwankwaner


   谢谢,有没有什么仿真方法,可以评估这个漏电性能与L的关系??
发表于 2013-11-12 11:55:42 | 显示全部楼层
回复 4# kwankwaner


   如何减小漏电流呢?这个不是和工艺有关系吗?我是用TFT做开关管的,而且管子一般都是4um,如果尺寸不变,是否只能考虑改进工艺了?谢谢
发表于 2013-11-12 12:12:39 | 显示全部楼层
回复 5# JoyShockley


    你仿仿试试吧,t13的模型可以的
发表于 2013-11-12 12:17:09 | 显示全部楼层
回复 6# lipengly


    TFT?不懂那个,但我想就是应该从工艺角度出发,design是没办法的,工艺有招的,这里做深那里做浅或者搞个特殊形状
 楼主| 发表于 2013-11-12 12:45:17 | 显示全部楼层
回复 8# kwankwaner

leakage.jpg VGS=0 VDS=1.2 W=2u 扫描L

发现L=0.5u后,漏电流显著下降。


也就是说,开关管的L取0.5u就行了吧
发表于 2013-11-12 12:59:45 | 显示全部楼层
回复 9# JoyShockley


    实际VDS有这么大啊,如果走的电流不大的话建议w/l=1/.6就万无一失了
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