90nm的模拟电路设计相比于0.18um的难度在哪儿？

willy0130 · 发表于 2008-4-5 18:04:02

I think Ro and I leakage is crucial problems....

kooba · 发表于 2008-4-7 21:16:29

都开始用90nm了？作模拟这个也先进了些！我们这还都0.5，0.35用着了。

overcomeyu · 发表于 2008-4-23 20:49:21

学习了！赞

icb · 发表于 2008-4-30 13:49:19

不错值得一学

wwm101 · 发表于 2008-5-1 22:25:01

noise compensation?

forman1115 · 发表于 2008-5-2 00:12:22

漏电流太大，工作电压低了，还有工艺的偏差对电性能的影响也更严重

msb · 发表于 2008-5-2 14:19:39

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cedricwung · 发表于 2008-5-4 16:28:23

要考虑STI效应，layout要求更高

suxi · 发表于 2008-9-5 17:30:44

晶体管小尺寸效应更显著了，准确的器件模型更难得到

semico_ljj · 发表于 2008-9-5 19:50:58

Gm很难做大！

msb msb 当前离线积分 57 头像被屏蔽	发表于 2008-5-2 14:19:39 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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