90nm的模拟电路设计相比于0.18um的难度在哪儿？

topic · 发表于 2007-3-1 22:03:24

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这个困难具体如何解决？

hyy95120 · 发表于 2007-3-2 02:59:06

1) supply voltage is only 1V
2) poor r0

zhanweisu27 · 发表于 2007-3-2 09:52:43

就像围棋到了宫子阶段

藤萝的空间小了

技术要求高了

flushrat · 发表于 2007-3-2 11:54:57

注意leakage
考虑layout因素更多了
90nm电源可用3.3/2.5 1.2/1.0V

jianchongzhou · 发表于 2007-11-23 00:15:08

学习了，多谢

northfish · 发表于 2007-11-23 01:24:43

depends on what device option you are willing to use. if you use thick oxide devices, there is no difference between 90nm 0.18um design. if you use standard devices, then low supply voltage, small overdrive, poor device linearity, larger relative mismatches, and low Rout are all difficulties.

shatang · 发表于 2007-11-23 17:13:49

不错,学到一点

eezou · 发表于 2007-11-23 21:35:48

low voltage

aww · 发表于 2007-11-24 00:15:28

我觉得阿
寄生比较重
电源电压低
漏电大
更要注意匹配

eileen1983 · 发表于 2007-11-25 14:52:11

Thanks

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