全差分运放的GBWcm大于GBWdm的问题

WEN_AMY

http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=363688&extra=&page=1
在论坛里搜到过一个相关的帖子。
sansen的书上提了几个FDF常常要满足的几个性能指标，其中一个是GBWcm>GBWdm，CM的增益也要和DM的增益相当。想请问的里头提到的高速差分放大器更加要求CM的GBW更大，那么到底是什么样的一个应用环境中会有这个需求呢？超高速ADC？尝试去做到这个指标意义有多大呢？

第二个问题，如果想实现的话，对于二级运放的结构我尝试了几种结构：cascode+common source（cmfb是连续时间结构的），但是GBWcm总是会比DM的低40~50MHz。感觉二级结构中cmfb的零极点特别奇怪，总会有没有考虑到的点，GBW也不是完全按照计算的公式在变。
而对单级的结构，可以实现共、差模的GBW相当，如我附件中关于cmfb的paper，提到的几个结构都能实现CM的GBW更大。但是单级结构的增益比较小，所以我在想采用单级gainboost的结构是否能实现呢？看sansen书的0832（下图）提的那个结构，省掉了误差放大器，那么voutcm是如何确定是多大的呢？其它很多论文都采用了boost op用连续时间做cmfb，主放大器用sc做cmfb，因为对开关电容还一知半解的，所以想先来这里发这么一贴


abbr_21a79547918c0c5814e5aaf66f79c1ca.pdf (887.38 KB, 下载次数: 18 )

2013-9-26 20:30 上传

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