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[求助] 求问SMIC55nm的普通工艺和RF工艺有什么差别啊?

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发表于 2013-8-6 23:34:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在SoC中需要集成AD与PLL,上一版用的smic0.13um mmrf的工艺,普通的与RF的都是同一种工艺。这一版改用55nm的,普通的与RF的就分开了。但是因为PLL必须要用RF的工艺,所以AD也只有跟着用RF的工艺了。AD的采样率是100M,还远算不上RF吧,这样做会对AD的性能有什么影响吗?想请教一下55nm普通的和RF的工艺具体的差别主要在哪些方面啊?是spice model有差别吗,还是DRC的时候会不一样啊?
发表于 2013-8-7 11:51:15 | 显示全部楼层
普通工艺:无rf device和model,诸如inductor mosfet_rf 等等; top metal厚度薄,通常8K
rf工艺:反之

PLL看频率,上GHZ带电感的,若用mixed signal工艺,电感Q值会受影响,弥补办法就是加大电流。ADC就是mixed signal circuit,啥工艺都OK,只care matching。

你们是学校还是公司?如果是公司需要支援,请联系我
 楼主| 发表于 2013-8-7 12:43:37 | 显示全部楼层




谢谢了,是学校。
这两种工艺在DRC上有什么差别吗?

如果我PLL用RF的工艺,AD用普通工艺,最后拼在一起做DRC,是不是无论用RF的rule还是普通的rule都过不了啊?
发表于 2013-8-7 13:51:08 | 显示全部楼层
of course NO!
猪和羊放一起当然既不是猪也不是羊啊
发表于 2016-6-16 18:55:07 | 显示全部楼层
回复 3# stealingling
选RF的,问题是你要放在一起tapeout吗?
发表于 2017-9-26 15:21:09 | 显示全部楼层
有没有该工艺的design rule?
发表于 2017-9-26 15:22:25 | 显示全部楼层
SMIC55nm RF工艺绘制版图需要注意事项有哪些?
发表于 2018-12-23 20:56:44 | 显示全部楼层
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