求教allen书上第四章一个mos开关的基础问题

wspyl · 发表于 2013-7-8 10:23:53

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本帖最后由 wspyl 于 2013-7-8 14:51 编辑

allen的书95页倒数第二段写到“在对C充电期间，ron的最坏值（最高值）出现在VDS=0且VGS=Vfai-Vin时。”如下图：

这里有几个地方搞不明白：（一）按照前面的公式来看， VDS=0时分母最大，ron应该最小啊。
（二）按照接下来的这个图来看 VDS=0时不就是ron电阻两端电压相同吗？那ron的阻值岂不是就是0了？

（三）从4.1-6和4.1-7这两幅片来看，VGS不是始终都等于Vfai-Vin吗？

199619919 · 发表于 2013-7-8 13:11:58

NMOS永远是电势低的一端为S。所以实际上当给电容充电的时候，电容一端是源极。当Vds=0的时候，沟道里的电子就不会移动了，但沟道还是有一个形式上的电阻值的

wspyl · 发表于 2013-7-8 14:39:45

NMOS永远是电势低的一端为S。所以实际上当给电容充电的时候，电容一端是源极。当Vds=0的时候，沟道里的电子 ...
199619919 发表于 2013-7-8 13:11

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形式上的电阻值啥意思啊......这样的电阻值也应该很小吧，书上为啥说VDS=0时ron出现最坏值（最高值）呢？按照4.1-2的公式说不通啊。

谢谢了。

capazo · 发表于 2013-7-8 16:02:23

VGS不是始终都等于Vfai-Vin ?

wspyl · 发表于 2013-7-9 08:50:09

VGS不是始终都等于Vfai-Vin ?
capazo 发表于 2013-7-8 16:02

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我也是这么想的...

ygchen2 · 发表于 2013-7-9 23:44:36

VGS不是始终都等于Vfai-Vin ?
capazo 发表于 2013-7-8 16:02

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如果连Vin端低的话是对的。如果Vin端比电容端高的话，这个说法是不对的，因为Vin端此时不是源而是漏。

oooeee · 发表于 2013-7-10 10:36:48

本帖最后由 oooeee 于 2013-7-10 10:38 编辑

个人拙见：
与Vgs相比，Vds的值很小，尤其在长沟道工艺中，Vfai的值较大，MOS管很可能工作在深线性区，此时Vds完全可以忽略。重点还是Vgs对导通电阻的影响。
此开关导通后就是Vin对负载电容充电，只有当充电完全时，也就是电容两端电压Vc=Vin，Vgs才最小，Ron才最大，并且此时Vds=Vin - Vc=0.

若有差池，敬请指教。

wspyl · 发表于 2013-7-10 14:55:06

个人拙见：
与Vgs相比，Vds的值很小，尤其在长沟道工艺中，Vfai的值较大，MOS管很可能工作在深线性区，此时 ...
oooeee 发表于 2013-7-10 10:36

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谢谢了。大概搞懂了，但是电阻Ron两边的电压为什么会相等还是没弄明白，是因为此时Ids=0吗？
如果沟道中有电流的话，那只有Ron=0它两边的电压才可能相等啊。

oooeee · 发表于 2013-7-10 18:58:09

回复 8# wspyl
当输入对电容进行充电时，足够长的时间后会使Vc=Vin的，因Vc=Vin(1-exp(-t/RC))。所以在有限的时间内可以认为Vc近似等于Vin，电流逐渐趋于零。

wspyl · 发表于 2013-7-10 21:13:22

本帖最后由 wspyl 于 2013-7-10 21:14 编辑

回复 9# oooeee
多谢了，这里基本搞懂了。
不过后面96页最后一段又说：”当栅极电压降低时，有电荷注入沟道。但是管子最初保持导通状态，所以无论怎样，注入的电荷只在输入电压源Vs中流动，不会出现在负载电容C上。“

按前面写的管子导通的时候就会给电容充电，给电容充电的时候怎么会没有电荷流进电容呢？

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