多晶硅栅不能两端都打孔连接金属为什么？

liwenkuill · 发表于 2013-7-4 20:55:27

实际上还是分情况的，在28下面，有一些stdcell的多bit反而是需要这种通过poly走线的，还有比如sram的bitcell也会用到poly连线，但是连线较长的话，电阻太大，一般是不允许的

zmart · 发表于 2013-7-9 22:18:41

这个应该是允许的哦。我想楼主的意思是poly并不是连线的末端，是在连线中间作为导线用吧，这样线的RC效应会比较大，在数字电路里用一下也是可以的，但不推荐。

brightheart · 发表于 2013-7-11 16:26:47

看来大家的意见是是可以两端打孔咯

173660575 · 发表于 2013-7-11 20:16:56

回复 12# zmart

我在看别人的版图时，发现当导线走的POLY中间都连了金属，就是不明白为什么要这么做，应该不是简单的减小电阻吧

kingder1978 · 发表于 2013-7-15 10:27:02

这个问题讨论几次了，相关帖子可以去查查

ygc_ex · 发表于 2013-7-15 21:38:23

回复 14# 173660575

poly上走金属可能是作为冗余的不要求阻值的电阻吧

上帝同在 · 发表于 2013-7-15 23:29:28

GATE的材质不是纯METAL而是salicice（金属硅化物），相比金属导电率小很多，阻抗很大，不能作为导线（数字电路GATE互联可以用）使用，速度受影响。

巍峨山 · 发表于 2013-8-1 14:05:07

花了我2个积分下载资料一点用处多没有

ys0290 · 发表于 2013-8-8 11:46:17

POLY两端接METAL最好只出现在POLY做gate的情况下

zoujunlin · 发表于 2013-8-10 00:41:51

1）从物理上讲，gate poly两端打孔，可以有效减少gate的RC，提高gate的开启速度
2）在模拟版图中，由于poly电阻较大，为了避免在一条信号通路中不小心采用了poly来做连线，便约定不在gate poly两端打孔，因为lvs无法检查这种情况。所以并不是禁止，只是一种风险控制的产物而已
3）在应该采用gate poly两端打孔的情况下（比如width很大），同时为了降低电阻又不能切断金属连线，于是可以让metal从gate上经过，如果该mos器件只负责开关，比如数字逻辑门，在gate上走metal就非常nice

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