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查看: 15578|回复: 25

[求助] 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属为什么?

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发表于 2013-7-1 17:26:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

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刚看到论坛上面的一个资料
上面写说 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属” 不知道这是为什么。求解。谢谢~~
发表于 2013-7-1 21:26:15 | 显示全部楼层
design rule中不禁止,可以打,两端打孔一般就是把这个gate同时作为连线了,电阻比较大而已。
发表于 2013-7-2 00:19:46 | 显示全部楼层
特殊的电阻
发表于 2013-7-2 08:09:26 | 显示全部楼层
两端连线是允许的,我不知道你是什么资料。可以发上来看看吗。 纳米级的高速电路中布线,如果栅比较长的话必须要2端都给连线。这样的话和MOS管打折的效果差不多。
而且1楼 概念有误,MOS在工作或关闭的时候栅上是没有电流的,只有MOS管开启的一瞬间有一个瞬间的电流。所以电阻什么的根本不成立。
发表于 2013-7-2 08:50:40 | 显示全部楼层
回复 4# 蘑菇要冷静

理想状况下吧,正常情况是无论关断还是稳定工作,都会有栅极漏电流,虽然很小,但也会增加静态功耗.
 楼主| 发表于 2013-7-2 13:37:50 | 显示全部楼层
回复 4# 蘑菇要冷静


    http://bbs.eetop.cn/thread-375100-1-1.html 是这个帖子里的资料
发表于 2013-7-2 17:14:51 | 显示全部楼层
防止机械应力对栅造成损伤
发表于 2013-7-4 10:39:19 | 显示全部楼层
seeing
发表于 2013-7-4 13:33:27 | 显示全部楼层
回复 4# 蘑菇要冷静


     实际上在较多的时候,用poly两端打孔可能的情况就是把poly作为连线,类似于用这个poly去代替metal连线,这样就存在RC的概念,R和C都会增大,有好处也有坏处。数字单元里面有很多这样的做法。当然这个poly跟是不是管子的gate没有啥关系。像你提到的gate无电流,但是依然是有一个充电时间存在的,看你的设计关不关心而已。所以,一楼(实际上是二楼)概念上也没啥错误。
发表于 2013-7-4 17:42:56 | 显示全部楼层
你们就硬拗就是了.
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