capless 的LDO片内用120pF的电容算逆天么？

hszgl · 发表于 2013-7-1 15:53:55

回复 17# 扑火

我也这么想，45°的话电容可以减小不少。我只是想问下120pf会不会逆天。嘿嘿。

hszgl · 发表于 2013-7-1 15:55:37

回复 16# jiang_shuguo

我知道这个面积太大了。现在正在找新的方案。大侠给推荐个么，DFC怎样？

shangyouqiang · 发表于 2013-7-1 16:04:36

我也觉得太大了。我这个刚刚开始学的也觉得你不对。

你的120PF太恐怖了。我看见别人的很小

hszgl · 发表于 2013-7-1 16:07:19

回复 23# shangyouqiang

用的高压工艺，setup比较奇葩，吓到你了，不好意思~

shangyouqiang · 发表于 2013-7-1 16:30:49

我给别人画版图的时候都是大约100X100UM大小的MOS电容

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-1 16:32:03

回复 22# hszgl

简单点的，别搞那么扯淡的。成功很难

shangyouqiang · 发表于 2013-7-1 16:36:19

你的这么大的电容的你的LDO的速度怎么样？

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-1 16:42:00

回复 27# shangyouqiang

100*100也够给力的了！咱不能在小点么，呵呵

hszgl · 发表于 2013-7-1 18:02:44

回复 28# jiang_shuguo

给个建议呗。我是看来看去觉得还是DFC结构简单点。我这个电容这么大是因为用单级折叠共源共栅直接驱动pmos，加ahuja补偿。用的是高压工艺，pass管的L最小3um，栅电容很大。。。
该怎么改进呢？大侠？

hszgl · 发表于 2013-7-1 18:46:48

回复 27# shangyouqiang

环路GBW？500k多一点。。。

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[求助] capless 的LDO片内用120pF的电容算逆天么？