基于 MOSFET失配分析的低压高精度CMOS带隙基准源

gmc832002 · 发表于 2007-1-23 16:09:41

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基于MOSFET失配分析的低压高精度CMOS带隙基准源

(西安电子科技大学微电子研究所)

摘要: 分析了MOSFET失配对差分放大器失调电压影响的机理，介绍了降低失调电压提高精度的斩波调制技术的工作机理，在此基础上实现了一种低电压高精度带隙基准电压源设计。利用斩波调制技术有效地减小了带隙基准源中运放的失调所引起的误差，提高了基准源的精度。考虑负载电流镜和差分输出对各+-2%的失配时，该基准源的输出电压波动峰-峰值为0.31mV。与未应用斩波调制的带隙基准源相比，相对精度提高了约86倍。当温度在 0℃到 80℃变化时，该基准源的温度系数小于 12×10-6 /℃.。采用0. 25 m 2P5M CMOS工艺实现的版图面积为 0.3mm ×0.4mm。
关键词：失调电压；斩波调制；带隙基准源
中图分类号：TN402　　文献标识码：A 文章编号：1001-2400（2005）03-0348-05

tomandrosea · 发表于 2007-1-25 10:07:56

正式我需要的

tomandrosea · 发表于 2007-1-25 10:14:48

一，我回复了,怎不能下

tomandrosea · 发表于 2007-1-25 10:15:38

,还是看不到

ryanbowen40 · 发表于 2007-1-29 13:12:25

正需要呢，多谢多谢

piao · 发表于 2007-2-14 20:35:32

好文章，多谢多谢！

cupt000 · 发表于 2007-3-1 10:11:53

的确是好东东！！
谢谢了

cupt000 · 发表于 2007-3-1 10:18:21

的确是好东东！！
谢谢了

122013137 · 发表于 2007-3-15 09:22:26

正式我需要的

piao · 发表于 2007-3-19 20:22:23

除了仿真结果外，有测试结果吗？

基于 MOSFET失配分析的低压高精度CMOS带隙基准源

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