在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 18569|回复: 26

[求助] 弱弱的求教一个问题,对于pmos管,衬底有时候与源级相连,有时候不连,为何啊

[复制链接]
发表于 2013-6-19 19:58:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
弱弱的求教一个问题,对于pmos管,衬底有时候与源级相连,有时候不连,为何啊?求指导啊
发表于 2013-6-20 08:21:34 | 显示全部楼层
hotwell 与 pmos的饱和导通有关。
 楼主| 发表于 2013-6-20 08:56:02 | 显示全部楼层
回复 2# winsm


   我也听过热阱的说法,貌似需要浪费很大的版图面积,具体也不清楚,可以再说具体一点吗,两种接法非别有什么优缺点啊?
 楼主| 发表于 2013-6-20 08:56:48 | 显示全部楼层
回复 2# winsm


   我也听过热阱的说法,貌似需要浪费很大的版图面积,具体也不清楚,可以再说具体一点吗,两种接法非别有什么优缺点啊?
发表于 2013-6-20 11:01:41 | 显示全部楼层
版图略大,vth略小,隔离电源noise较好;一般应用于input pair
发表于 2013-6-20 13:20:33 | 显示全部楼层
我的理解是这样的:
    对于输入对管是pmos,如果把衬底和源电位接在一起,噪声,PSRR,CMRR会比较好,拉扎维P388页有讲;另外,阈值电压会比较低(衬偏效应小),所以输入共模范围可以比较大;也有一点坏处,你需要一个单独的n阱,因为你这个pmos的衬底并非最高电位VDD,当然不能与其它pmos放一个阱里,要多点面积(其实也不在乎这点面积了)。
    如果衬底接VDD,就没有上述的优点了,当然用一个n阱就可以了。一般要求不高的就这样接(高压工艺可能会有变化)。
 楼主| 发表于 2013-6-20 16:43:16 | 显示全部楼层
学习了,谢谢。。
 楼主| 发表于 2013-6-20 16:44:01 | 显示全部楼层
谢谢,学习了
发表于 2013-6-20 22:08:51 | 显示全部楼层
substrate
发表于 2014-4-3 16:21:10 | 显示全部楼层
貌似明白了,就是一般都接在一起好了
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-18 23:00 , Processed in 0.023412 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表