该结构是否会引起Latch-up？

limenglm

如图所示：
我在PAD和内核之间插入一个衬底环和N+环，当PAD上出现高压(>VDD）时，会引起Latch-up吗？
问1：纵向PNP导通时，引起P-sub电压抬高，但能否抬高到>VDD?
问2：即使P-sub电压抬高到>VDD，因为横向NPN的基极电压（P-sub）高于发射极（VDD）和集电极（VDD），无法形成正反馈？
请高手指教。
1、版图结构

2、剖面示意图

3、等效电路图

tuohong

应该不会吧，除非PNP那个pad点能想电源或地一样提供持续电流。

729050850

ESD管钳位最高到VDD+0.7,  Psub它再高也不可能高于VDD    pnpn中的第四个n指的是nmos的源极 而不是N Guard ring

limenglm

回复 3# 2# 729050850
谢谢答复。
跟一个专家讨论过，该结构不会产生闩锁。

tianyor

你这个pmos和nmos在物理距离上隔了一个pad已经很远了，再加上保护环，不会出现latch-up的现象。

pingdandan

相反对防止L/U有作用

dinggo

没得事

layoutedit1

你旁边不时有VSS么，这个也会形成PNPN结构的，只要距离足够latch up不是必然把

hqiu

高手如云啊？

hqiu

你已经用了保护环了，而且距离如此大。应该很不用担心。