ESD电压会同时损坏NMOS和PMOS保护管吗？

limenglm · 发表于 2013-5-23 10:12:26

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一款电路，电源地短路失效，位置在某管脚（非电源地）的保护管处。
我以前只见到过由于ESD电压造成的PAD对地或者对电源失效，电源地短路的倒没见过，谁能解释下？
未命名.bmp

limenglm · 发表于 2013-5-28 19:06:28

进一步分析，只是NMOS管那里被击穿，但为什么VDD和GND会短路还不知道。

cathzhou · 发表于 2013-6-2 21:23:56

你这个给的信息太少了吧

cathzhou · 发表于 2013-6-2 22:06:55

我见过NMOS和PMOS同时烧坏的，latchup发生在那就会出现这个情况

Hondy · 发表于 2013-6-4 00:02:32

八成是Latch up ！！！

lili1004 · 发表于 2013-6-6 22:05:51

保护管处ESD打坏的地方不是一个点，可能是一个区域，而这个区域的电源地线很近，可能造成电源地短路。

ttxxmm · 发表于 2013-6-16 09:41:23

学习了

aqwe1024 · 发表于 2013-6-24 17:07:47

細謝謝你呀呀
細謝謝你呀呀

zixi_2012 · 发表于 2013-6-25 11:33:37

学习了

fsea · 发表于 2013-6-25 14:43:03

对于2#芯片，可能的解释是，初次ESD发生时，保护电路可能没被完全破坏，但已经有操作；再次ESD发生，造成latch up问题，烧毁电路。
对于1#芯片，ESD可能造成短路和断路的情况，如果是短路，有可能是漏与衬底的短路，POWER和GROUND就会短路。
并不是十分了解楼主的设计和工艺，仅给了可能的解释，供参考。

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