关于mos in nwell 电容

hezudao · 发表于 2013-4-27 14:17:29

回复 9# jiang_shuguo

一访不就什么都出来了，

jiang_shuguo · 发表于 2013-4-27 14:45:09

回复 11# hezudao

哥，我有那么笨么？能仿出来我不仿啊。这个东西工艺厂没有model的，我们根据工艺自己做的，比pip电容省面积。仿真用的是自己做的nmos ni nwell电容PDK，也就是理想的东西。

hezudao · 发表于 2013-4-27 18:29:08

回复 12# jiang_shuguo

哥，你觉得我告诉你一个我用的你有用吗？或者别人告诉你一个有用吗？

wcanrich2000 · 发表于 2013-4-27 21:12:01

单纯MOS 电容的电压温度系数都不够好，可以考虑补偿结构。e.g Full compensated Depletion-Mode MOS-Capacitor for pure digital technology low voltage switched-capacitor applications
为啥不用ploy 电容

ericking0 · 发表于 2013-4-27 21:54:52

本质上就是一个MIS电容
可以理解成一个耗尽管
阈值为负，可以理解成标准的MOS电容的CAP VS V曲线向右平移了
所以在整个正电压范围内都可以保持电容的线性
如果还想深入，可以看看半导体物理，MIS那章

jiang_shuguo · 发表于 2013-4-27 22:53:53

回复 15# ericking0

谢谢啊，感觉你回答的靠谱，

tfjim · 发表于 2013-4-28 08:54:32

nmos in nwell 电容没有这种结构吧 ?? : 上极板是poly，下极板是NWELL

jiang_shuguo · 发表于 2013-4-28 09:16:47

回复 17# tfjim

你没见过吧，呵呵。

jiang_shuguo · 发表于 2013-4-28 09:33:16

回复 13# hezudao

你真的是我哥，我是你弟。你告诉我怎么搞瞬态噪声。在某个帖子看你说过。

hitzhabc · 发表于 2013-4-28 09:59:18

回复 1# jiang_shuguo

这种结构一般不建议用，因为电容值和两端电压有很大的关系，工作点控制不好，电容变化范围比较大。
电容最大值和最小值的比值接近3。最大值基本上按照栅氧电容的大小估算，差别不大。
这种结构一般用来做可变电容的，一般工艺已经不做这种结构，所以只能自己摸索参数。做可变电容的话有更好些的结构，只是也没有model。
另外，术业有专攻，不知道这个东西并不等于人家没有能力...

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