关于mos in nwell 电容

jiang_shuguo

回复 20# hitzhabc


    猜你没毕业 ，这种结构你都不知道我用哪两个层次产生电容。我是想问用过的人，没用过的都是瞎猜。

蓝翔

回复 18# jiang_shuguo

jiang，这个其实就是varactor，做VCO时会用到，电容随着VGS是单调变化的，不过的确电容随电压变化较大，我觉得作为补偿电容用着可以，但要是用作信号处理，失真可能会大，给你提供一个仿真的图形，这是SMIC提供的model，图中给出的是C随VGS的变化，是倒置并联的两个varactor的C-V曲线，尺寸时100*6.其实用的时候可以用两个倒置的varactor并联，这样的到的电容随电压的变化会比较小，这个电容我用到过LDO的补偿中过，还凑活，能工作
理论方面。你可以参考一下RAZAVI的 RF microelectronics P486，我用的是打印版的，呵呵

hitzhabc

回复 21# jiang_shuguo


    这么大的火药味来请教别人？你啥都会为啥还要问别人呀？我告诉你，我用过，而且跟你说了，还有更好的结构或者复合结构。电容变化范围约等于4。至于你想用哪个层次那是你的事。就算你发明了什么新的结构和别人也没啥关系。。。如果仅仅是在nwell里面做noms，也不过如此而已...22楼的蓝色曲线接近这个电容的变化曲线，你可以参考下。

jiang_shuguo

回复 23# hitzhabc


    呵呵，不好意思啊。谢谢啊

jiang_shuguo

回复 22# 蓝翔


    老同学给的解答好啊，我猜也是电压系数大，我怕的也是这个。你知道吗，用这个电容产生零点也倒还好，只要负载变化对该电容的静态点影响较小时。但是我的电路里面有个节点静态点用是随负载变化较大的，而且该节点用这种电容是推低第二极点的，他的位置对稳定性影响较显著。就等着出来看结果了，没有model完全是蒙了，margin都没法留，有个model还好能留个大点的margin。出来看运气了。
  你现在搞VCO了？

hitzhabc

回复 24# jiang_shuguo


   也没什么。这个电容结构以前用的多，主要是省面积。再就是特殊需要，在频率产品里面用的多（pll或者rf），用作可变电容。比较难控制的是线性度，就是控制电压变化和电容值变化是非线性的。再就是电容变化的范围，在这些应用里范围越大越好。日本很多公司有自己的生产线，可以在这些方面精确调整，比较厉害。我们只能用现有的工艺，所以支持上差很多，只能自己想办法，比如没有model。现在多数人都习惯于pip或者mim电容，宁可面积大些...所以在电源电压变化范围比较大，或者工作点不好控制的时候，尽量别用。再就是电容变化三四倍无所谓的场合，确实省面积。好像见过有人研究给这种结构建模的，没有深究。我自己用都是在某些model基础上修改，然后流片测试，再修改...

蓝翔

回复 25# jiang_shuguo

没搞VCO，上次用varactor时查了一些资料。。。既然这样为什么不用pip电容呢？我记得UMC好像提供pip电容，你要用作补偿的话，用的电容应该不会很离谱，应该不会占多大的面积吧？

jiang_shuguo

回复 27# 蓝翔


    是啊，经理那我的做实验啊！我用的PIP是不大。我就是个试验品！

蓝翔

回复 28# jiang_shuguo
老崔？呵呵。。没事。。既然是试验品就试验呗，出了问题肯定你的罪过不算大。。总有人得吃吃螃蟹

shaq

这种电容适合用在 current-mode buck 的 OTA 回路补偿吗？