在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3200|回复: 5

[求助] ggnmos工艺参数有什么特别的地方?

[复制链接]
发表于 2013-4-24 17:28:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
ggnmos的工艺参数和普通nmos的参数有什么不同的地方,可以详细列举一下吗?多谢
发表于 2013-4-27 18:14:02 | 显示全部楼层
一般来说,工艺上没有什么区别,有些可能会加上ESD implant。
rule方面简单而言,W, L, finger, DCGS, SAB等等都是有不同rule的。
当然,这些都是最简单的结构、简单情况。
发表于 2013-6-24 17:13:59 | 显示全部楼层
謝謝你喔喔喔喔
謝謝你喔喔喔喔
謝謝你喔喔喔喔
发表于 2013-7-11 22:48:32 | 显示全部楼层
rule方面简单而言,W, L, finger, DCGS, SAB等等都是有不同rule的。
说的不错哦。
发表于 2014-2-17 17:55:54 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2014-12-19 14:57:18 | 显示全部楼层
学习啦,嘿嘿
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 20:01 , Processed in 0.020810 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表