二极管电势分析

hszgl · 发表于 2013-3-29 10:01:27

回复 27# ygchen2

能带很窄还是肖特基接触。还是有整流效应。纯欧姆接触能带向少子方向弯曲，对多子不形成势垒。

fuyibin · 发表于 2013-3-29 10:12:20

本帖最后由 fuyibin 于 2013-3-29 10:16 编辑

回复 fuyibin

回去看看书吧。欧姆接触能带也是弯曲，但是向另一个方向弯曲而不会形成势垒。但是有哪个 ...
hszgl 发表于 2013-3-29 09:58

登录/注册后可看大图

好吧，欧姆接触能带也会弯曲，不过量子效应会导致隧穿，
肖特基接触会有整流效应，正向和反向特性不同
欧姆接触正向和反向特性相同，做MOS器件的S/D 引出一定是欧姆接触
NMOS的S/D是欧姆接触吧， PMOS的S/D也是欧姆接触吧，那就是对P/N都形成欧姆接触了
这个东西好像没什么好争论的吧
欧姆接触是金属/重掺杂半导体
肖特基接触是金属/半导体（非重掺杂）
肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

hszgl · 发表于 2013-3-29 10:15:51

回复 32# fuyibin

在工程上把接触后形成的极小势垒也认为是欧姆接触。整流效应不明显而已。不必争论这个，就是再理想的接触。你在PN结两端都会形成不同方向的势垒。或者你换个思路，把PN接两端延长弯曲至相互连接，会是什么情况？还是形成一个势垒。

fuyibin · 发表于 2013-3-29 10:24:32

回复 fuyibin

在工程上把接触后形成的极小势垒也认为是欧姆接触。整流效应不明显而已。不必争论这个， ...
hszgl 发表于 2013-3-29 10:15

登录/注册后可看大图

你这个说法不准确，你的前提是这个半导体还是非简并态
如果做重参杂后会，在禁带中形成连续能级，类似于导带，参杂越重越向费米能级靠近，最终可能形成导体
而且一些重金属能级也有可能是P/N之间没有势垒，参金工艺不是要引入这些效应么

hszgl · 发表于 2013-3-29 10:27:32

回复 34# fuyibin

重掺杂是将等效费米能级参导带里去。但是不代表能带不会弯曲。掺金？我没记错的话是为了形成重空穴能级吧？

fuyibin · 发表于 2013-3-29 10:29:41

回复 33# hszgl

而且我一直在说P/N结势垒跟金半接触没关系，我们要分析的是P/N结
结果老是有人要往金属/半导体接触上扯，这不是把大家往沟里带么

hszgl · 发表于 2013-3-29 10:30:03

本帖最后由 hszgl 于 2013-3-29 10:35 编辑

你这个说法不准确，你的前提是这个半导体还是非简并态
如果做重参杂后会，在禁带中形成连续能级，类似 ...
fuyibin 发表于 2013-3-29 10:24

登录/注册后可看大图

此外，轻掺杂半导体和重掺杂半导体接触。你觉得会是什么效果？还是会有能带弯曲，形成势垒。重掺杂的N和重掺杂的P接触呢？还是有整流效应。就算你拿铜和铁接触，你以为就没有内建电场了么？那我问你电池是怎么回事？

hszgl · 发表于 2013-3-29 10:32:04

回复 36# fuyibin

现在的分析是如果用导线将PN结两端连起来，形成载流子通路，为什么不会有电流流过。金半接触是个很好的解释。你看过文献没？

fuyibin · 发表于 2013-3-29 10:35:04

此外，轻掺杂半导体和重掺杂半导体接触。你觉得会是什么效果？还是会有能带弯曲，形成势垒。
hszgl 发表于 2013-3-29 10:30

登录/注册后可看大图

轻掺杂半导体和重掺杂半导体接触当然还是PN结
但是你见过有重掺杂半导体和重掺杂半导体接触的PN结么？呵呵
当然也会有能带弯曲，但是势垒大大降低，极端情况就是没有势垒咯

hszgl · 发表于 2013-3-29 10:36:36

回复 39# fuyibin

你自己画画能带图吧，重掺杂的P和N 接触会是怎么个效果。呵呵。

[讨论] 二极管电势分析

站长推荐 /2