关于tsmc低阈值管的运用。

hhlunar · 发表于 2012-12-10 18:04:44

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请问一各位大牛，tsmc.18提供的低阈值管除了漏电流大点，沟长长点，有其他缺点吗，

这种管子用在放大器中可以吗，他的失配温度特性和一般管子区别大吗？

求大牛指教！

vdslafe · 发表于 2012-12-11 00:16:42

这种管子有的时候控制没那么好。看你的运气了

hhlunar · 发表于 2012-12-11 09:25:06

回复 2# vdslafe

请问您是从哪里的得到这样的结论的呢！

fuyibin · 发表于 2012-12-11 09:48:09

回复 1# hhlunar

你说的是native device还是LVT device?
一般会比正常device 差一些的

vdslafe · 发表于 2012-12-11 10:40:03

回复 3# hhlunar

实际产品经验；如果你说的是native, 就是这样，很多时候都不在WAT data

hhlunar · 发表于 2012-12-11 14:26:21

回复 4# fuyibin

low vt ,工艺角温度特性都可以过，但是还是不太敢用，不确定他和普通管子的区别，工艺文档里也没太说他们的区别。。。

hhlunar · 发表于 2012-12-11 14:33:17

回复 5# vdslafe

我说的不是负阈值，是低阈值。追问一句，如果这种模型很不准确，那工艺厂商提供这种管子的一般用在什么场合呢！
这种管子是要加钱的！模型不准确的话，这种工艺tsmc拿出来卖不是吭爹么！求大牛指教！

vdslafe · 发表于 2012-12-11 14:36:25

回复 7# hhlunar

如果是LVT, tsmc是有WAT的。可靠性会强很多。Native是不一样

fuyibin · 发表于 2012-12-11 15:27:10

本帖最后由 fuyibin 于 2012-12-11 15:33 编辑

回复 6# hhlunar

lvt是foundry正对客户做高速电路，现在的代工提供的工艺都是基于数字和SOC考虑
lvt的standard cell会快很多
对于做analog的来说，就当捡了个便宜，凑合用吧
lvt的doping会低一些，mismatch稍微大一些，比完全不doping的native好多了

hhlunar · 发表于 2012-12-14 19:01:24

回复 9# fuyibin
具体实现的时候貌似是在poly中注入一些正离子...!衬底掺杂也会变一些吗？

不过谢谢你了！那我感觉这个管子用起来比较危险了，mis可能比较大！

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