psub和pwell有什么区别

andy2000a · 发表于 2012-11-26 12:13:49

目前 IC 都是單石 monoconle ?  就是 N_sub  or Psub ,
因某些原因多數都是 PSUB 上去長出其他.

p-well 某些廠是N_WELL 反TONE 就是, 但是高壓中會還有 HVPW
因為 IC 都是在PSUB 上..

簡單來說所以 DEVICE 都會受 P-sub  resistance 干擾,
所以才有人有EPI  磊晶=> 降低RESISTANCE
  對LOGIC來說, 可能會好
對ANALOG 來說低阻抗可能 SUBSTRATE 干擾或LATCH UP
  CROSS TALK 都會到,

後來才又出現NBL  用NBL去隔離  .
N type => 給正電壓會逆偏就讓NBL 上DEVICE 和PSUB 隔開.

最棒是用SOI  用傳說藍寶石隔離.

簡單來說, IC 都是在PSUB 上
analog  & digital  & RF  & power 彼此間都互干擾,
降低 SUBSTRATE ?

或是把NOISE 導入SUBSTRATE ?看設計.

toxicly · 发表于 2012-11-26 14:29:46

補充，還有因為高低壓的關係。
所以才會分了High V P-well和 High V N-well。
sub只是指基底的材質。

hawaii78 · 发表于 2012-11-30 10:05:02

同意楼上几位的说法，
Psub是基底
Pwell是浓度高的P+ 区域。

chaoqunchu · 发表于 2012-12-4 16:56:29

学学学学

zhouyunye195 · 发表于 2012-12-5 10:30:22

学习了

dqyang · 发表于 2012-12-5 13:20:21

如果rule上有pwell这个层次，那肯定是和psub浓度不同的，碰到个项目，pmos是做在n_epi（n外延）的nwell里的。psub, p_epi, pwell的浓度是有所不同的。
顺便问个问题，版图艺术一书里说通常用重掺杂psub，轻p_epi, 减少衬底去偏置，同时浓度差产生内建电场有利于防latch_up. 但我查下我们所用的工艺csmc的，psub的电阻是80 ohm.cm, p_epi的是45ohm.cm, 那不是说psub比p_epi的掺杂更轻吗？pwell浓度相对p_epi的谁的轻？还有现在的cmos工艺里的阱是所谓的退化阱吗？那位兄弟能告诉下啊？不胜感激！

im2058 · 发表于 2022-1-4 21:11:18

coronaab 发表于 2012-11-22 09:11
Double well构造中，除去Nwell之外的都是Pwell,即可认为NMOS做在
Pwell上，Psub用来固定Pwell电位（NMOS中B ...

psub应该是轻参杂，浓度应该比pwell低才对吧。Baker书53页是这样描述的。

顽皮的小浣熊 · 发表于 2023-3-15 14:49:16

im2058 发表于 2022-1-4 21:11
psub应该是轻参杂，浓度应该比pwell低才对吧。Baker书53页是这样描述的。

Baker书全名叫什么

im2058 · 发表于 2023-3-24 09:10:20

CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation

嘎嘎mika · 发表于 2023-4-6 15:47:32

学习了

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