psub和pwell有什么区别

xiaolutianxia · 发表于 2012-11-22 00:38:33

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psub和pwell有什么区别

xwave · 发表于 2012-11-22 08:49:58

NMOS是在p-substrate 上面掺杂2个n-active。
PMOS是在p-substrate上先构造一个n-well，然后在n-well里掺杂2个p-active

coronaab · 发表于 2012-11-22 09:11:44

Double well构造中，除去Nwell之外的都是Pwell,即可认为NMOS做在
Pwell上，Psub用来固定Pwell电位（NMOS中B端电位）。当然除了
单纯的固定电位这个作用之外，还有防止Latch-up和隔离噪音的作用。
Pwell的离子溶度低，Psub事实上也是Active area，注入离子浓度高

kalahara · 发表于 2012-11-22 10:17:11

回复 1# xiaolutianxia

不管从英文意思substrate 或衬底都可以看到
psub是指晶圆。
pwell是psub上的外延。

shidaixu · 发表于 2012-11-22 11:50:03

4楼正解.

coronaab · 发表于 2012-11-23 17:07:28

回复 5# shidaixu

那么请教一下，固定Nwell电位的又叫什么？难道不是Nsub?

selfsalvation04 · 发表于 2012-11-25 23:29:10

来学习了

nickfury · 发表于 2012-11-26 09:45:28

本帖最后由 nickfury 于 2012-11-26 10:39 编辑

SUB就是SUB ，所有器件都是做在SUB上
(ACTIVE )有源区加上N/P IMPLANT。不是什么WELL。电位的名字N-type 、P-type 虽然也N/P IMPLANT 加上ACTIVE组成。

P-WELL 我见过2种解释。我个人觉得，NW中的PWELL 才算真正的PWELL。虽然我没用过，但是很多FOUNDRY 有PWELL 这一层

shidaixu · 发表于 2012-11-26 10:02:31

本帖最后由 shidaixu 于 2012-11-26 10:05 编辑

回复 6# coronaab

如同楼上一位说的那样子,nmos的B端是pwell,而pwell和psub是同一种注入类型,可以认为他们是连在一起的,但衬底的电阻大,所以一般在nmos的周围打上p型的衬底接触来提升管子性能,防latch_up;pmos的B端就是nwell,而nwell则与p外延形成了一个pn结,所谓的结隔离.所以要给nwell一个电位的话也是一个样的道理,即在nwell上形成一个接触.我找不到图,楼主可以找找这些工艺的截面图看看,也许会有一些收获.

tuohong · 发表于 2012-11-26 12:00:10

归纳一下楼上各位的看法，pwelll可以做在psub上，不一定“NW中的PWELL 才算真正的PWELL。”而且“Pwell的离子溶度低，Psub事实上也是Active area，注入离子浓度高”这句话说反了。应该是“pwell和psub是同一种注入类型,可以认为他们是连在一起的,但衬底的电阻大”。
在双阱工艺中，除了nwell就是pwell。
在某些其他工艺中，会把敏感的走线、电容、电阻等做在psub（除了nwell和pwell之外的）上，好处是可以尽量避免串扰。

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