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楼主: jiang330226

有逆向过美信的片子的人吗?

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发表于 2007-12-4 16:55:11 | 显示全部楼层

Not work well!!!

I think:
M5 will not off:
Ic1+I5+I1=I2=Iref, Ic1 just give a negative TC factor into Iref.
so the circuit will not OK.
Something is wrong?????
发表于 2007-12-5 15:35:18 | 显示全部楼层
找到大家庭了
发表于 2007-12-27 15:44:48 | 显示全部楼层
如果vdd比较低 是说的通的
两个p管都工作在subthreshold区域 特性貌似bjt 产生ptat电流


m5和r3可能是提高抗电源干扰能力的 温度过高 就会输出逻辑电平
发表于 2007-12-27 17:54:37 | 显示全部楼层
楼主的电路来源,如果我没有猜错,就应该是MAX的DCDC里面的。。。
而这个电路是啥功能呢,我谈一下我的看法,
第一页,推理了这个电路的兄弟(发了推理过程的照片),我不同意你的看法。
这个电路就是一个selfbias电路,R3是一个非常非常大电阻,M5是selfbais电路的启动电路,等启动完毕后,M5会关闭,不再有电流流过。
NPN管Q1相当于一个比较器,它的输入信号是I2*R4,如果selfbias没有启动(或者处于另一个平衡点,0),那么I2=0,则Q1是关闭的,则反向器的输出是0,标志说selfbais电路没有启动;
而此时M5会破坏这个0平衡点,从R3,经过M5引入电流流向M3,这样0平衡点就站不住脚,会向正确的平衡点推,而等新的平衡点建立,即这个selfbias启动好了,则I2*R4 > 0.7V (Q1管 PN的导通电压),这样Q1导通,这样反向器的输入电压被拉低,此时反向器输出为高电位,这个标志selfbias工作正常。
再来看看selfbias启动好以后,M5管的source电位为0(非常接近0),而M5的drain也就是M3的gate,其电位 > Vthn, 也就是说,此时,M5是关闭的。
所以综上所述,这个电路是一个selfbias电路,反向器的输出是selfbias启动与否的标志信号,相当于POWER_GOOD之类的标志信号。
另外我提醒一点,R3电阻一定要很大很大,因为selfbias电路启动完后,R3&Q1支路的电流永远在流,R3很大起一个限流作用,同时保障R3 > Rds,on(Q1),以保障反向器输出信号的正确;
我提醒的第二点是: R4电阻和它上面串联电阻的大小比例也是个关键,设计上要保证I2 * R4 能开启Q1,否则会发生错误,因为设计时又有一些bargin空间;但如果这个空间l留得过大的话(即I2*R4大于0.7V很多),R3&Q1支路的电流又会过大,白白浪费。这里设计风险和电路静态电流大小performance之间是个tradeoff.

以上是我的分析。 我也reverse做过这个电路。
说这个电路是过温保护的是错误的,如果是过温保护电路的话,那么迟滞窗口在哪里? 还有这个NPN管在layout上有没有和POWER FET靠近呢?
还有人说是过压电路就更不靠谱了。

最后谢谢楼主热心分享这么好的题材,这是个不错的小TOPIC....虽然现在的时间是你发贴一年以后,如果你看到我的回贴,请加我的QQ:7517245,我们讨论一下,我们应该都在做同一个DCDC,哈哈。

[ 本帖最后由 liutracy 于 2007-12-27 17:59 编辑 ]
发表于 2007-12-27 20:36:57 | 显示全部楼层
新人学习了。。。
发表于 2007-12-29 21:48:13 | 显示全部楼层
果然是强人啊,这个都上来了
发表于 2008-1-2 13:58:13 | 显示全部楼层
利害!
发表于 2008-1-2 21:26:04 | 显示全部楼层
强人越来越多 ,期待更精彩的 分析 !!
发表于 2008-1-14 12:02:27 | 显示全部楼层
大家继续讨论~
发表于 2008-1-17 10:26:40 | 显示全部楼层
就是liutracy所的那样,呵呵
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