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楼主: jiang330226

有逆向过美信的片子的人吗?

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发表于 2006-12-23 13:28:25 | 显示全部楼层
感觉楼主没有画完
发表于 2006-12-23 14:21:55 | 显示全部楼层
我也是觉得只是一个带启动电路的基准源电路,没有温度保护电路。
发表于 2006-12-23 21:26:11 | 显示全部楼层
这个电流基准还是一般的偏置产生电路
对电流的要求高不高??
温度系数看不出来啊,而且还和电源有关系
 楼主| 发表于 2006-12-24 13:51:59 | 显示全部楼层
如果只是一个普通的带启动的基准电路,那么两个PMOS管的宽长比肯定是不一样的,除非一个工作在线性,一个工作在饱和,但是工程上没有必要这么做,他上面的两组微调电阻估计应该是用来调温度系数的,还有整体电路中,没有发现其他地方有过热保护电路,作为一个集成功率管的DC/DC,没有过热保护似乎说不过去,电路图都是全的,这个模块产生基准电流的电流控制全局的偏置,全部偏置电流都由它往外镜像。不过我同意前面一位网友的意见,大小似乎可以近似IREF=VBE/R4,理论推导我也干过,太复杂,推出来跟VDD还有关系,不知道怎么回事!仿真调整主要是想调过热保护功能,基准电流是负温度系数,VBE也是负温度系数,只要在某一个温度点,基准电流乘上R4得到的值小于VBE,就能让三极管关段,模拟非门输出低电平实现过热保护,迟滞是当温度高的时候,VBE关段,它没有分掉R3的电流,使得基准电流较大,从而使得IREF*R4的电压较大,使得三极管导通的温度变高,好像是个顺时针迟滞啊!核心电路的那些微调电阻用来调整温度系数,使得温度下降的斜率比VBE快,不过这样也太没有必要了,弄个负温度系数的电流基准,误差不是太大了,不明白阿!美信的东西让人琢磨不透!
发表于 2006-12-24 20:23:54 | 显示全部楼层
这个原来是DC-DC的Bias电流产生电路啊!
电流没有必要很精确啊!
DC-DC的输出到是要稳定,比如说3V+/-10%的输出\
至于温度过热保护电路,要看这个NPN管(这个模块)的位置,
因该在输出功率管的旁边的,
还有那个模拟反向器是什么东西?是不是比较器?
一般的电路的电流都会随电源的升高而升高的
DC-DC的精度要求不是很高吧,提供个原来片子的参数吧
发表于 2006-12-26 14:07:41 | 显示全部楼层
PTAT电流的产生不是需要电流不等,而是需要电流密度不等,所以两个PMOS管相同有什么问题?只要一个流过一个三极管,一个流过N个三极管的并联就可以了.
 楼主| 发表于 2006-12-27 14:20:57 | 显示全部楼层
问题是,两个PMOS管相同的话,它上面的电阻是不同的,那他们的电流肯定是不一样的,下面两个NMOS管相同,1:1的镜像关系肯定是没有了,两条支路的电流不同,而且支路电流和电源电压有关,这肯定不对吧!
发表于 2006-12-27 17:09:28 | 显示全部楼层
你确定没有耗尽管?
发表于 2006-12-28 14:02:24 | 显示全部楼层
M5应该是启动电路所的,启动前三极管基极被拉到零,三极管集电极电位很高,而当电路工作起来后,三极管的集电极电位被拉低,而M5要导通必须三级管集电极的电位是2倍以上的N管阈值,况且M5可能存在衬偏,正常工作时三极管集电极的电位没那么高了,所以M5仍然是可以关闭的
发表于 2006-12-28 16:51:14 | 显示全部楼层
M5导通与否,就要看VDD和Bipolar上面的那个电阻了
但是,一般产生的偏置电流会比较小,比如10uA,所以在那个电阻上的压降
不会太大
100K电阻的压降为1V,所以M5管是很有可能导通的
就这个电路而言,如果图没有错的话,那么M5必然会导通,不然不满足电流关系
最后,不知道为什么大家一定要认为中间那两路的电流要相等?
难道教科书上都是这么说的,我们就一定要按照书上的来分析?
也太死板了吧
还有,做耗尽管,就意味着多一块掩膜版,划不来啊!(对于咱们穷人来说)

还有为什么一定要做的那么好的温度系数??
动辄10ppm,不知道大家算过没有,整个温度范围内能变化多少mV?
电源抑制比呢?电源上的噪声,纹波可不小啊,所以输出也会有很大的纹波
辛辛苦苦的TC一下就白搭了
个人的一点看法,希望和大家交流一下
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