求助：关于lv 与hv MOS 栅氧的生长

slflinger11 · 发表于 2012-11-1 11:52:40

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

请教各位大大，在生产过程中，lv 与hv MOS的栅氧生长是什么顺序，两种栅氧生长的方式是否一样(干氧，湿氧)？

LJFZHX · 发表于 2012-11-4 13:35:19

一般都是先长厚的，再长薄的，方式的话可能各家FAB有差，不过很薄的话应该就不会用所谓的湿氧了

不吃细糠的山猪 · 发表于 2023-4-21 15:35:53

dual gate工艺，先长薄的A，把LV区吃掉，然后长B.这样就是 LV区厚度A，HV区A+B（最终厚度会小于这个数值）

JHX_SMICS · 发表于 2023-4-25 16:26:14

1，整片wafer 炉管长厚氧；
2，光刻胶盖住IO区域，露出Core 区域；
3，刻蚀掉Core 区域的厚氧；
4，湿氧长出Core 区域的薄氧；
干还是湿仅供参考，不同节点/Fab 有差异。

登录/注册后可看大图

[原创] 求助：关于lv 与hv MOS 栅氧的生长