关于运放的尾电流源工作状态

fashion612 · 发表于 2012-10-26 11:44:56

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各位大侠,
我现在设计一款低压运放,设计完后发现运放的尾电流源工作于亚阈值区,而非饱和区,将尾电流加大就其工作在
线性区了.当然更好的是工作在深度饱和区,请问让运放的尾电流源工作于线性区呢还是在亚阈值区好?谢谢

artofsleep · 发表于 2012-10-26 13:18:40

亚阈值区好，我猜

lwq_119 · 发表于 2012-10-26 14:47:17

貌似应该是饱和区吧，你的微电流在不断的变化，你觉得好吗？亚阈区会减少你电路的功耗，但是这只限于放大管子，微电流的管子还是别这样了。

大帅哥1989 · 发表于 2012-10-27 10:26:32

尽量还是要饱和区，多少还是要给尾电流源多分配点过驱动电压。不知道楼主的低压运放是多么低的电压。。。

fortissimo.g · 发表于 2012-10-27 11:03:36

也许我记得不对，好像subthreshold也能分饱和和线性的吧。

ygchen2 · 发表于 2012-10-27 11:50:39

本帖最后由 ygchen2 于 2012-10-27 11:53 编辑

也许我记得不对，好像subthreshold也能分饱和和线性的吧。
fortissimo.g 发表于 2012-10-27 11:03

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此概念是对的。
亚阈值区还有个好处就是工作在饱和状态时所要求的VDS比强反型时小。不过同样工作电流情况，需要把管子做大，需占更多面积。

selfsalvation04 · 发表于 2012-10-28 14:01:32

来学习了，各种不会啊

Luxuchang · 发表于 2015-1-26 20:57:53

饱和区吧

Mrmentor · 发表于 2015-1-26 21:32:49

学习了

naoz · 发表于 2015-1-26 22:11:29

是因为你做的管子太大了，所以容易进入sub threshold region。通常是saturation region是最好的，对于tail管子，vdsat尽量要大，最好可以到200mV。

如果是低功耗，transistor size小是不可避免的，必然会出现很多倒比管子，画layout注意下，不然mismatching会比较大

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