呼唤版主：关于1P7M的power strap问题

jinziky · 发表于 2012-9-24 15:24:00

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本帖最后由 jinziky 于 2012-9-25 09:37 编辑

我用的TSMC65nM 1p7m 工艺，并打算把M7和AP(RDL)层只用做主要的power strap打满全部芯片。
但是由于M7 default下是横向走线，这样在打M1 rail时， rail不好直接向上接到M7 PG。
请教各位都是如何解决这个问题的？将M7变为竖向，AP变为横向可行吗? (其他层方向不变)。这样对后续的制造封装等会不会有什么隐患？

chrisyl · 发表于 2012-9-24 15:48:18

加M6。
是不是M7别铺满，留一部分会好一点?

SKILLER · 发表于 2012-9-24 16:21:52

可以把rail改成vertical
或者根本就不用，虽然rail连不到M7，但是可以连到M6的Ring上，而且还有straps的吧！

jinziky · 发表于 2012-9-24 17:36:09

打算把M7和AP层只用做电源不布信号线，因为这两层布满整个芯片的话ir-drop应该也足够了。这样的话就不太想增加其他层如M6做strap, 毕竟要占用布线资源。
请教楼上, rail改为vertical ，会不会其他的层的默认走线方向也会改变？没用过这种方式，这个flow有成功过吗？

西顾 · 发表于 2021-4-1 21:47:53

jinziky 发表于 2012-9-24 17:36
打算把M7和AP层只用做电源不布信号线，因为这两层布满整个芯片的话ir-drop应该也足够了。这样的话就不太想 ...

楼主您好，我现在也遇到了这个问题，请问您是怎么解决的呢？
我是用65nm工艺，9层金属，加上一层AP层，想用ap层走 power strap，由于是新手所以在ap层上走power strap并不熟悉，走了很久还是ir drop降不下来，请问您是怎么在AP层和M7走线的呢？
我用的命令如下：
【其中数字自己修改过尝试过很多次也没有成功，不知道前辈是否有何高见呢？】
create_power_straps -direction horizontal -start_at 126.500 -num_placement_strap 50 -increment_x_or_y 2 -nets {VDD VSS} -layer AP -width 3 -pitch_within_group 6.5

create_power_straps -direction horizontal -start_at 908.000 -nets {VDD} -layer AP -width 4.25

godunlove · 发表于 2021-4-13 00:04:31

Ap 和m7 铺满，最高density . 用m6 桥接m7 和m1 .m6 铺20%到15% density就可以了

shandianxia2012 · 发表于 2022-4-27 17:05:36

请问1P7M是什么意思

lifan19940301 · 发表于 2022-4-27 17:42:09

shandianxia2012 发表于 2022-4-27 17:05
请问1P7M是什么意思

一层poly，7层金属

立华奏 · 发表于 2022-4-29 14:00:12

觉得有必要再用ME6用作POWER Strip，我们是这么做的

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