nand flash 控制器

Glenguo

nand flash的读写控制非常麻烦，有没有什么转接芯片，使得读写nand flash象读写sram一样简单？

jackzhang

好像没有，你可以采用cpld/fpga来设计一个，应该不难，主要就是设计几个状态机。

Glenguo

我现在就是这么做的，前一段时间用FPGA做了个控制器，读写flash都没有问题。但由于没有文件系统的支持，对坏块没有处理，就是假设flash所有的bit位都是好的。目前看起来好像没问题，但不知道以后会不会出现什么情况。用FPGA来做读写控制器，各位老大对坏块是如何去检测、分析和处理的？

volcanozhd

对于nandflash控制器坏块处理，一般是出现擦除错误，program错误，读出错误，都要将相关块标记成坏块，通常是在spare区用一个专门的bit来表示。

jackzhang

只用fpga，不能够判断坏块，应该配合cpu来完成

zlhrsy

增加ECC处理

xcy20007

to: Glenguo
   我现在也在做nand flash的读写控制器，刚开始看，还没有 头绪。可否把你的程序给小弟参考一下，感激不尽。  xcy20007@163.com   或者  xcy20007@sina.com

阿基里奥斯

Disk On Chip,不也是把NAND FLASH做了一个转换接口么，只不过DOC的转换做在FLASH器件上，而不是ASIC上。
我觉得，如果做一个bootable的NANDC会更复杂。

volcanozhd

随着制造工艺的进步，nandflash一直在发展，容量也越来越大，单就控制时序来说，基本上变化还不大，从早期小容量产品的3个周期的地址到现在的5个周期的地址，page大小从512k到2kbyte，4kbyte的产品即将出现。数据位宽有8位的和16位的。SLC类型的器件ECC比较简单，因为是1bit/528byte纠错，就是用分组的行列奇偶校验，对于MLC器件，需要实现4bit/528byte纠错，即将出现的更大容量的需要8bit/528byte纠错，这就需要用的reed solomn之类的比较强的ECC算法。所以要实现支持各种类型的nandflash的控制器还是比较复杂的。
      关于坏块管理，掉电保护，逻辑地址管理等，都是在ftl中实现的，通常是把这些信息写入扩展区，因为扩展区需要中途修改，所以不能和数据一起做ECC，因此需要考虑用软件去增加数据的可靠性。
      不过东芝正在推LBA的类型的nandflash，当然目前还没有出样片，估计要今年年底去了。LBA的类型和目前的接口时序相同，但是器件内部将SLC和MLC做到了一起，SLC主要存储程序等需要高可靠性的数据，MLC存储音频视频等可靠性稍微要求低点的数据。而且flash器件内部做了ECC处理，甚至连坏块和逻辑地址管理都做好了，对于用户来说这部分不可见了，用户只需要关心接口时序就可以，个人觉得这应该是未来nandflash发展的趋势，当然免不了这种类型的器件会贵一些。