华虹NEC 130nm 工艺求教(diff ct)

lixiaojun707 · 发表于 2012-9-5 09:35:29

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在华虹NEC 130nm 工艺中的n+电阻中，在电阻的中间位置有一个diff(ct)层[这层在diff（dg）上面]不知是起什么作用的，请教知道的大侠给予解答，不胜感谢!

yechaojun · 发表于 2013-1-7 17:00:53

回复 1# lixiaojun707

LZ这个问题解决了么？我也碰到了同样的问题，这一层只在nec13的dio三端电阻中出现

icfbicfb · 发表于 2013-1-7 20:19:07

3端电阻，那就是gnd pin吧，

lixiaojun707 · 发表于 2013-1-8 13:57:57

回复 3# icfbicfb

应该不是gng pin

xhwubai · 发表于 2013-2-5 21:57:12

个人猜测：是dummy识别层，diff是diffusion的缩写

liandre · 发表于 2013-2-11 15:17:18

可以发个截图嘛。EF130 工艺的layer map里会定义的吧。

semico_ljj · 发表于 2013-2-19 21:46:42

就是一层mark

johnchentop · 发表于 2021-3-19 16:00:59

得到

johnchentop · 发表于 2021-4-6 10:35:30

goodDDD

深圳华芯 · 发表于 2022-10-20 11:16:28

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