请问ESD I/O管和ESD power clamp管子有什么不同啊？

quietfish · 发表于 2020-5-7 09:54:54

学习学习

寂寞出租半边床 · 发表于 2020-6-24 14:58:23

xlteam2 · 发表于 2020-7-22 12:27:27

very good

袁野1990 · 发表于 2020-8-16 17:07:06

sunjimmy 发表于 2013-1-19 11:04
NMOS 若想用來做ESD保護用, 通常可以加一道 ESD implant layer,用來降低 NMOS breakdown 電壓.
Power clamp ...

老哥，请教一下， breakdown 啟動寄生BJT与RC trigger power-clamp在原理上有什么区别？是否都是利用Breakdown的原理，还是有特别的设计？

sunjimmy · 发表于 2020-8-17 13:24:14

RC trigger power-clamp NMOS 主要是走 surface channel 導掉 ESD current. 所以NMOS width要夠大, 降低導通的current density/per-um. 避免NMOS surface channel被燒毀.
利用寄生vertical BJT breakdown 進入Snap-back的保護方式, 因不是走surface channel, 導通的ESD電流可以分布到比較大的截面積,相對的current density小很多,也就不易燒毀(~ESD耐壓高). 缺點是ESD導通速度較RC-trigger power clamp NMOS慢.

lihao1125 · 发表于 2020-9-1 13:14:49

sunjimmy 发表于 2020-8-17 13:24
RC trigger power-clamp NMOS 主要是走 surface channel 導掉 ESD current. 所以NMOS width要夠大, 降低導 ...

学习了

cuteworm · 发表于 2020-12-16 11:55:40

thanks for sharing

fenlido · 发表于 2021-6-3 16:20:09

好东西

IC2019 · 发表于 2021-11-18 17:28:48

dx232110 发表于 2019-5-7 15:03
一种是防ESD，另一种是防ESD基础上加钳位功能吧。

你说的钳位功能，是指？

ttanalog · 发表于 2022-1-24 18:03:59

Thanks

[解决] 请问ESD I/O管和ESD power clamp管子有什么不同啊？

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