请问ESD I/O管和ESD power clamp管子有什么不同啊？

quietfish

学习学习

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xlteam2

very good

袁野1990

sunjimmy 发表于 2013-1-19 11:04
NMOS 若想用來做ESD保護用, 通常可以加一道 ESD implant layer,用來降低 NMOS breakdown 電壓.
Power clamp ...

老哥，请教一下， breakdown 啟動寄生BJT与RC trigger power-clamp在原理上有什么区别？是否都是利用Breakdown的原理，还是有特别的设计？

sunjimmy

RC trigger power-clamp NMOS 主要是走 surface channel 導掉 ESD current. 所以NMOS width要夠大, 降低導通的current density/per-um. 避免NMOS surface channel被燒毀.
利用寄生vertical BJT breakdown 進入Snap-back的保護方式, 因不是走surface channel, 導通的ESD電流可以分布到比較大的截面積,相對的current density小很多,也就不易燒毀(~ESD耐壓高). 缺點是ESD導通速度較RC-trigger power clamp NMOS慢.

lihao1125

sunjimmy 发表于 2020-8-17 13:24
RC trigger power-clamp NMOS 主要是走 surface channel 導掉 ESD current. 所以NMOS width要夠大, 降低導 ...

学习了

cuteworm

thanks for sharing

fenlido

好东西

IC2019

dx232110 发表于 2019-5-7 15:03
一种是防ESD，另一种是防ESD基础上加钳位功能吧。

你说的钳位功能，是指？

ttanalog

Thanks