在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 41297|回复: 66

[解决] 请问ESD I/O管和ESD power clamp管子有什么不同啊?

[复制链接]
发表于 2012-8-26 21:07:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本帖最后由 guang3000 于 2012-12-20 00:48 编辑

dongbu提供了两种ESD管子,一种是普通输入输出引脚的ESD管,另外一个是用在电源上的power clamp管,

请问这两种管子有什么不同啊,在一般的工艺中都要区分开来吗?请高手指点,谢谢!
发表于 2012-8-26 23:38:10 | 显示全部楼层
一种是防ESD,另一种是防ESD基础上加钳位功能吧。
 楼主| 发表于 2012-8-28 05:50:29 | 显示全部楼层
发表于 2012-8-28 10:46:36 | 显示全部楼层
没有绝对的不同。一个power clamp的管子可以再面积的要求上面低一点,所以一般io的管子比较小,power clamp的管子大。另一方面,power clamp用于电源,其上面的电压相对稳定在一个值,而io的电压会有瞬变,所以io上面的esd不大会用rc触发的。
发表于 2012-12-19 22:12:26 | 显示全部楼层
柯明道教授有一篇文章有详细的说明 题目好像是“The whole chip ESD protection”
发表于 2013-1-18 23:28:07 | 显示全部楼层
是不是power clamp也是过电流的?
发表于 2013-1-19 11:04:03 | 显示全部楼层
NMOS 若想用來做ESD保護用, 通常可以加一道 ESD implant layer,用來降低 NMOS breakdown 電壓.
Power clamp 電路有不同的作法; 如果是靠 breakdown 啟動寄生BJT,達到ESD洩流,就要加 ESD implant layer. 如果是用 RC trigger power-clamp NMOS 就不需要.

点评

明白了  发表于 2024-5-29 23:40
发表于 2014-10-1 01:59:57 | 显示全部楼层
好帖子
发表于 2015-12-2 11:54:54 | 显示全部楼层
Ming-Dou Ker
发表于 2015-12-11 08:53:11 | 显示全部楼层
在一般的工艺中都要区分开来
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-27 23:53 , Processed in 0.024184 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表