MOS管 GIDL效应

elovu5256 · 发表于 2012-8-8 17:23:16

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谁能详细解释一下GIDL（栅感应漏电电流），机理及影响。

feynmancgz · 发表于 2012-8-8 17:29:54

回复 1# elovu5256

看这篇文章

Leakage current mechanisms and leakage reduction techniques in deep-submicrometer CMOS circuits

elovu5256 · 发表于 2012-8-8 19:12:27

回复 2# feynmancgz

haha, you again, can you give me some details or materials? 3X

hehuachangkai · 发表于 2012-8-8 20:35:05

是DIBL吧，就是漏源极正向偏压很大的时候，漏结势垒区向沟道移动，电场线会导致沟道界面处的界面势增大，这相当于在衬底和沟道之间加了个电容，衬底的电子会向沟道运动，事实上是势垒降低了，电子更容易到达沟道了。这就是DIBL效应。它会导致阈值电压的下降，即开启管子所需栅压和原来相比下降了。

hehuachangkai · 发表于 2012-8-8 20:37:40

哦，不好意思，看错了，看成了漏致势垒降低。

hehuachangkai · 发表于 2012-8-8 20:40:59

莫非类似于时钟馈通形成的电流？那就归结于栅漏电容。个人知识不够，继续学习中。

feynmancgz · 发表于 2012-8-8 20:47:59

回复 3# elovu5256

elovu5256 · 发表于 2012-8-9 08:44:45

回复 4# hehuachangkai

就是GIDL 栅感应漏电电流，
谢谢你 DIBL说的很详细

fordabine · 发表于 2013-4-27 14:31:03

谢谢分享哟哟

xiaobaiyangESD · 发表于 2014-10-17 15:21:05

太详细了，感谢。

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