关于双阱工艺中的P阱

lyz5432 · 发表于 2012-7-23 20:01:29

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本帖最后由 lyz5432 于 2012-7-24 09:39 编辑

P阱的制作顺序
1 在P+衬底上生长一层P-外延层

未命名.bmp

2 在该外延层上制作出N阱和 P阱

未命名.bmp

3 然后各自在N阱和P阱中制作PMOS 和 NMOS

我的疑问是：

N阱和P-外延层之间会形成PN结 PN结反偏载流子无法通过实现了N阱和衬底的隔离
但是 P阱和P-外延层之间由于是同种类型的半导体还是连接在一起这样N阱和P衬底就不是隔离的了

我觉得我的理解有偏差
望大神不吝赐教

hapblade007 · 发表于 2012-7-24 10:43:23

N阱和P衬底就不是隔离的? 不是ＰＮ结吗

ntuzxy · 发表于 2012-7-24 12:40:26

本帖最后由 ntuzxy 于 2012-7-24 12:43 编辑

N阱和P-外延层之间通过反偏PN结隔离。P阱就做在P-外延上，不需要隔离啊
要注意的是，N阱和P阱并不相邻，而是通过LOCOS隔离的，而且会通过给阱加电位，使所有不希望的PN结都反偏。所以不存在你后面的那句话

843071455 · 发表于 2012-7-24 21:02:39

回复 3# ntuzxy

其实你没有明白楼主的意思，还有一般双阱工艺就是P阱和N阱相切的，不需要locos去隔离，locos隔离的不是P阱和N阱而是P阱和N阱的电位引出即P+和N+有源区，你不要误导别人啊！

lyz5432 · 发表于 2012-7-24 21:42:48

回复 4# 843071455

对的 LOCOS隔离为了设定有源区的范围，制备晶体管的
我想问的是 P阱如果和P衬底直接相连那么这样的P阱就失去了P阱的意义了 P阱是为了和衬底隔离出来吧

这个就是我搞不懂的地方

zhaojia · 发表于 2012-7-24 23:24:37

其实你可以这样理解：wafer上除了nwell其他区域都可看做成Pwell！pwell和p衬底是相连的，但参杂浓度是不一样的！你所谓的“失去意义”从何而来？画个COMS泡面图，仔细想想就明白了！

大大山 · 发表于 2012-7-24 23:25:15

回复 5# lyz5432

两者掺杂浓度不一样。。。

allen_tang · 发表于 2012-7-25 12:19:23

本帖最后由 allen_tang 于 2012-7-25 12:22 编辑

所谓的双井工艺，一般design rule里只会标明某一个well，比如n-well，不是n-well的地方就是p-well，并没有特殊的p-well注入, 除非有deep-nwell或者NBL制程外，nmos都是直接长在p-sub上。

allen_tang · 发表于 2012-7-25 12:21:25

N阱和P-外延层之间会形成PN结 PN结反偏载流子无法通过实现了N阱和衬底的隔离
但是 P阱和P-外延层之间由于是同种类型的半导体还是连接在一起这样N阱和P衬底就不是隔离的了

是想说P井和P衬底非隔离吧？

lyz5432 · 发表于 2012-7-25 16:16:59

回复 9# allen_tang

对的虽然他们参杂浓度不一样但是为同种类型的半导体应该没有实现隔离

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