关于双阱工艺中的P阱

hongmy · 发表于 2013-12-13 16:48:51

本帖最后由 hongmy 于 2013-12-13 16:51 编辑

这个kenliu讲的真好，很容易理解。
现在的双阱工艺一般采取倒掺杂的方式，就是阱底的浓度要比表面高，latchup的目的是主要的。而且再加一层bury layer，可以轻易形成DNW。

布小孩 · 发表于 2013-12-13 21:02:29

学习下。。。

slideshare · 发表于 2014-11-17 09:33:05

kenliu讲的好，学习一下

leshi · 发表于 2014-11-17 13:57:47

亲，问啥要隔离呢，本身就需要P衬底给电位的

kunhanlee · 发表于 2014-11-17 14:19:00

你應該是在講DEEPWELL吧

5731 · 发表于 2014-11-19 12:45:42

顶楼上kenliu 的说法。

zxn1234 · 发表于 2014-11-30 15:42:36

请问这些关于工艺的问题你们是从那里学来的？有没有推荐书籍，详细介绍工艺，比如介绍保护环的作用，如何实现，有图就更好了。中英文不限

pph_cq · 发表于 2014-12-3 11:16:08

有点明白LZ的意思了
其实这样的pwell和deep nwell里面的pwell是不一样的，deep nwell里的pwell是隔离的，可以接不同的电位，而你说的这种pwell只是工艺上为了调节参数的，不能起到隔离作用

yunsgao · 发表于 2015-6-18 15:41:14

回复 18# kenliu

讲的真好学习啦~~~

1079256830 · 发表于 2015-6-18 23:10:48

回复 28# pph_cq

我觉得就是这样的

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