关于双阱工艺中的P阱

蓝一 · 发表于 2016-1-7 15:57:47

回复 1# lyz5432

好问题，给你点个赞

蓝一 · 发表于 2016-1-7 16:46:08

回复 3# ntuzxy

真的非常感谢你们的讨论，我真的是看不懂啊

aktwhh · 发表于 2016-5-26 14:01:17

kenliu讲的真好！！！谢谢啊！！！！

Snowy2016 · 发表于 2016-6-28 19:06:37

确实不能隔离，所以这种制程的IC只能存在一个电位的ground，即使名字有多个，电位也是一样的，在封装的时候或者在PCB上会连在一起的。
若要实现隔离，必须利用DNW、NBL、ISODNW等，但mask会多一些，成本也就高了，视具体情况吧！

xiaoquanic · 发表于 2017-5-17 16:11:44

不错，学习了

lidqd · 发表于 2023-8-3 17:02:42

kenliu 发表于 2013-3-25 14:38
嗯，才看到这个问题，不知道还能不能不能帮上你。
双阱工艺的目的主要是通过两种杂质注入使得可控掺杂浓度 ...

学习了~

石头遇见雪 · 发表于 2023-8-24 17:48:04

个人理解：首先芯片的P-sub本身杂质太多，说以说需要单独在生长一层更干净P型外延层，所有的NMOS都是是坐在外延层上的所以如果没有DNW，或者NBL 本身外延层跟芯片的PSUB就是软连接在一起的，所以根本就不存在所谓隔离的P 肼。

单人影 · 发表于 2023-9-8 15:53:10

学习了

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