MOS管结构的ESD是怎样起作用保护的？

tfangli1234 · 发表于 2012-7-12 15:08:43

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MOS管结构的ESD是怎样起作用保护的？或者说是怎样工作的呢？

allen_tang · 发表于 2012-7-12 20:38:34

mos管做ESD，最简单常见的应该就是ggmos和gcmos，
grounded-gate mos利用寄生bjt提供一个低阻抗路径；
gate-coupled mos利用RC clamp，使mos形成的D到S的直接路径.

dqyang · 发表于 2012-7-12 21:58:03

回复 2# allen_tang
能说说这两种的优缺点吗？还有对于第二种,负ESD时是I/O对GND直接导通的。正ESD时是直接反向击穿对GND通路，还是经过I/O到vcc通路再经vcc/gnd ESD通路呢？

allen_tang · 发表于 2012-7-13 21:24:28

回复 3# dqyang

优缺点我是这样理解的，不一定对，仅供参考:
gcmos利用rc clamp直接channel导ESD，至于会不会snapback通流要看rc值，具体数值我也不是特别清楚，ESD保护效果比ggmos好，但是要看被保护的对象，对于power pad，一般近似为DC讯号，gcmos做protection不会通过电容耦合开启，所以不会影响电路性能；
ggmos还会用在不同power ground情况下的pin protection，pin信号如果有交流成分，gcnmos会被开启从而影响输入信号，ggmos就不会出线这种情况。
第二个关于ESD怎么保护的，你还是在论坛里搜ESD资料吧，总比我瞎扯的清楚.

loopgain · 发表于 2012-7-15 15:28:56

钳位电压吧

dqyang · 发表于 2012-7-15 21:00:44

回复 4# allen_tang
对mos ESD了解不多，谢谢！
esd怎么保护大概是了解的，第二个问题我其实是想问vcc对gnd的esd管和I/O对gnd（或vcc）esd管是不是不一样的，比如vcc对gnd通路是否更易导通，我上次做个测试版I/O对vcc是不做esd通路的，看了之前其它项目对gnd对vcc都做esd的

z75700122 · 发表于 2012-7-16 22:56:51

mos作ESD效果不好防不了幾KV

cookieyuz · 发表于 2012-7-18 22:43:22

gcmos利用电容耦合，可以降低导通电压，但是在高频芯片中很容易被误触发，vcc跟地之间很多用gcmos，I/O跟vcc之间当然是做了ESD比没做好

zxhtiger · 发表于 2012-8-7 14:53:09

路过~

zhuyujun · 发表于 2012-8-7 15:35:51

飘过！！！

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