MOS管结构的ESD是怎样起作用保护的？

lianaissmec · 发表于 2014-11-27 16:33:20

说白了，ESD要在面积对功能电路的影响对各种模式放电情况的了解的基础上，全芯片来考虑的，不仅与实际的ESD器件有关，还与ESD网络密切相关

上海大学 · 发表于 2015-1-14 15:11:27

回复 8# cookieyuz

高频里哪些过程会让RC——clamp误出发呢？

bruceok · 发表于 2015-1-24 16:55:26

Still need more explaination related ggmos

yorande · 发表于 2015-9-8 18:35:03

Mingdao ker的文里面好像说RC参数要在0.1ns-1us之间。
不过浪涌会怎样呢？

amy_123 · 发表于 2015-10-27 10:17:34

我也有个疑问求分析，说案例吧：芯片由于面积的原因，vcc只能放一个pad，放了两个esd在不同的地方（当然esd的vcc是接io ring），esd是ok的，但把两个esd放在相同的地方，就esd有问题，这怎么分析，他是先esd电路生效再到vcc吗？

tobytian · 发表于 2015-12-4 10:21:49

受教了

wuyanhui · 发表于 2016-3-10 11:07:11

我也有个疑问求分析，说案例吧：芯片由于面积的原因，vcc只能放一个pad，放了两个esd在不同的地方（当然esd ...
amy_123 发表于 2015-10-27 10:17

登录/注册后可看大图

这个问题有趣，放在相同地方和不同地方，距离vcc各有多远距离？esd是IO对电源正电压还是负电压挂的？

6275849@qq.com · 发表于 2016-3-10 15:26:19

.GGNMOS和GCNMOS的差别和优缺点

GC的优势在于能够比GG更快地响应transient，在较短时间内进入snapback, 用来改善 GGNMOS 无法 uniform turn-on 的缺点。GGNMOS由于通常面积较大，需要多finger结构，而其触发机理是由寄生NPN晶体管导通而进入snapback区域的，所以，其多finger由于基极电阻差异极可能导致不同时导通；而GCNMOS是用电压的上升时间来判断正常上电和ESD冲击的，RC具有延迟效果，所以，其NMOS不会存在多finger不同时导通的问题,但是gcnmos rc 大小设置不合理，也可能引起只有表面导通，需要的面积未必更小。
同样的NMOS的尺寸情况下，对比GCNMOS,GGNMOS两种结构对比：
1）GC当然费面积。
2）ESD脉冲来时，GCNMOS的耦合会比GGNMOS（Cgd的寄生电容<外部加的Cap）的快，而且GCNMOS的耦合电压会高，栅极上有电压，沟道会有一定的电流流到衬底，从而较低的Vt1就能使寄生NPN开启，衬底泄放ESD。
3）但要控制好GCNMOS的Cap大小，若GCNMOS的强耦合使NMOS的栅极电压过高>Vth时，NMOS将导通，ESD 2KV,等效有1.33mA的电流通过NMOS沟道泄放很容易就烧坏，故GCNMOS需足够的面积，要不然效果更差。
4）要付出的代价是, 在进入snapback region前, 有部份的ESD current会走 NMOS gate下的surface channel,在寄生的 lateral BJT 启动前, NMOS的 surface channel 必需先顶住,不可以被烧毁. 因会 surface channel 很浅,需足够的散热面积以避免被烧毁, 所以唯有加大 width 一途，这也就是为何GCNMOS 一般必需使用较大size的原因。

我力可 · 发表于 2016-3-10 16:15:33

飘过~\(≧▽≦)/~啦啦啦

level90 · 发表于 2021-6-4 13:11:53

膜拜，学习，mark一下

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