RFID

gy83129698 · 发表于 2012-7-8 16:00:18

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请问在0.18um工艺下用纯mos做带隙基准怎样保证-40度到85度温漂不大呢？现在电压变化并不大，但是电流有30nA的变化啊，求大神讲解

amodaman · 发表于 2012-7-9 13:13:32

环路增益做大总是有帮助的.

gy83129698 · 发表于 2012-7-9 14:57:58

回复 2# amodaman

能具体点么？我用了一个运放做反馈来实现电压的稳定，但电流的变化很大啊

amodaman · 发表于 2012-7-9 16:27:51

电流的变化? 你说的电流的变化是指IPTAT 的变化？I= ( ln(N)*K*T*delta(Vbe) ) / (q*R) ?

gy83129698 · 发表于 2012-7-9 16:47:14

回复 4# amodaman

嗯，好谢谢，我先试试

gy83129698 · 发表于 2012-7-11 10:09:56

回复 4# amodaman

嗯，是IPTAT的变化，我是用纯coms做的，没有用到寄生的BJT，所以没有负温度系数作为补偿，但用了反馈，电压变化还很小，就是电流变化非常大

amodaman · 发表于 2012-7-11 11:34:49

关注一下产生IPTAT 部分的输出阻抗,饱和程度和Vod之类的，调整一下沟道的condition, 就会稳定一些。亚阈值区的操作本身就会变化很大。

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