请教bandgap的问题。

semico_ljj · 发表于 2012-6-28 09:11:32

先给主支路灌电流，Vbandgap起来以后关断那个灌入电流

chipdesign · 发表于 2012-6-28 09:39:20

唉............................

awen2012 · 发表于 2012-9-2 10:30:41

学习了

stanley20044 · 发表于 2012-9-2 12:28:12

請解決啟動的問題就會一樣了

foxzciori · 发表于 2012-9-3 09:19:02

回复 6# bigb24

在正常的DC点X和Y结点应该在700mV左右，如果在400mV就稳定了说明电路在电流低于设计值时，OPA所在的环路已能够实现稳定。
如果要改变这个稳定态，可以通过改变启动激励的条件来实现，就像启动电路打破0电流状态一样，只是这里需要打破的是小电流状态。

93825988 · 发表于 2012-9-3 09:35:55

abbr_4cb3ce593246ed95a9db1169de9f5b65.rar (156.17 KB , 下载次数: 422 )

2012-9-3 09:33 上传
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还有这篇 Op-amps and startup circuits for CMOS bandgap references with near 1-V supply

回复 10# ericking0

看看下面这几个论文吧，里面有讲到如何做启动电路的。banda里面用了个外接的开关来避免这个简并点。另外这种结构有可能还有另外一个简并点，这个根据运放的结构有可能有区别。

两边电流都特别大，此时OPA V+大于 V- 过多，使得运放的输出电压非常低进入线性区，从而使得运放增益不够，不能够强迫 V+=V- 这时候，由于输出电压非常低，整个系统电流非常大，从而稳定下来。这也会造成启动失败。

当然这和运放的结构和电源电压关系非常大。

另外如果你采用 PMOS input pair 输入的话应该会对启动电路要求低一些，因为共模电平可以低到0V

szhang1979 · 发表于 2012-9-22 15:21:45

400mV去与一VTH比较，强制成低电平，反馈给启动回路。

confiope · 发表于 2012-9-25 10:20:44

加启动电路就可以了

huangsuibiao · 发表于 2012-9-25 23:31:27

启动电路可以使用一个反向器结构+NMOS管，NMOS的漏极接到偏置的PMOS管的栅上，反相器的输入是三级管的电压VCE。主要是反向器的反转电压点要比较低，在VCE到0之间。

luckyhuihui666 · 发表于 2012-9-26 13:46:50

回复 19# huangsuibiao

这个结构在corner下是不行的，你的Vbe在高温，ff下估计也就0.2V吧

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