LDO的问题

weidianwj · 发表于 2012-6-2 10:16:53

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希望做过LDO的朋友帮帮我：
我做的这个芯片的LDO外部要加1uf的电容旁路，所我就把LDO的主极点定在输出点上，但是这样的话LDO的GBW将会被拉到低频，stb仿真结果有70-80的相位裕度，但是增益0dB时13kHz，这样是不是我的LDO反应会很慢？瞬态响应会有大的影响吗？我把LDO的输出电压接在一个环形振荡器上，瞬态响应很好没有很大的摆动电压，但是不知为电路整体供电时会不会有影响（数字时钟很多的）。
我查了林肯莫拉的书上说，Cout和旁路电容会吸收这些瞬态响应，那是不是LDO只要低频开环增益大就可以了，高频的瞬态电流交给旁路大电容处理？
希望大家能帮我分析一下，有必要通过增大运放的gm来提高LDO高频处的环路增益吗？Cout这么大，那样做静态电流会很大的。（附带说明我们对LDO电压的要求不是非常高，但是我想做的更好一点，希望能找到解决办法）

microstudent · 发表于 2012-6-2 16:03:13

你好，高频的瞬态电流是由旁路大电容处理的，这个过程输出电压是在陡降/升的，不过你环路的快慢影响到什么时候终止这个过程，所以环路快慢对瞬态性能的影响非常大。不知道你用的什么结构补偿，不过一般要有不错的瞬态响应，带宽得在几百KHz

weidianwj · 发表于 2012-6-2 16:28:37

回复 2# microstudent

我明白了，谢谢。我现在几乎没用什么补偿，就是单纯地在输出点加上一个大的电容加主极点拉低，为了得到稳定的PM，但存在一个问题，就是外部的瞬态电流影响这一点的主极点位置，所以，在电流发生变化的一瞬间会产生振荡，欠阻尼振荡之后会恢复正常，现在在查文献想这个问题怎么解决呢

semico_ljj · 发表于 2012-6-3 08:17:52

GWB要做到最好做到100M以上

luckyhuihui666 · 发表于 2012-9-16 14:43:14

回复 4# semico_ljj

100M？

天牛不唱歌 · 发表于 2012-9-16 15:17:48

保证空载和大负载下的PM都要设计的足够，你只是一个极点的话，那陡降速度是一样的，像楼上几位说的那样增大单位增益带宽，增大环路增益是不二法门。相应是好了，你的line 和load regulation，但是造成相位裕度不够，进而不稳定，那就得不偿失了。

asu2011 · 发表于 2014-12-10 17:18:45

学习了

mk2003 · 发表于 2014-12-10 17:44:42

回复 4# semico_ljj

别乱扯。。。。。

Hello404 · 发表于 2015-7-17 11:26:29

说的够乱的

guanghuaye · 发表于 2016-1-4 11:11:50

都好高级的样子

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