如何仿真 高频下 MOS电容， 谢谢

kwankwaner

回复 30# archon1117


    我说ads是为了说明我仿过模型是可以看出来的，工艺厂商不会把不同软件的模型做得差太多。所以你在spectre里面用其模型也能仿出来啊。

    好吧，先建好你的电容，然后一端接地，一端接一个port，然后做sp仿真,之后看Y11，用计算器算出C的曲线

archon1117

回复 31# kwankwaner

谢谢你的帮助。

但是我还是没搞明白 ，我也查了一些其他资料 。

电容一端接port0，另一端接地，port0还得接个电感吧？

电感是不是选0或者1nH？

然后port是选用analoglib中的那个port吗 ？

太麻烦你了，真是谢谢你的帮助了。

kwankwaner

回复 32# archon1117


    就是analogLib的port，不要接电感，把port的阻抗设为50ohm如果最后结果是归一化的别忘了×50，一端接电容，一端接地，电容一端接port，一端接地，大家组成了一个“门”字型，然后仿真，后面就按之前说的步骤来

pumpkinpbk

回复 22# gaojun927


   这个回答感觉是所有回答里最有用的！

chenxf10

Mos cap 和 mos transistor cap 是不一样的
胡正明的解释：

mos cap

mos cap curve

梦随心行

回复 1# archon1117


   您好，新手一枚，我在做压控振荡器，用到可变电容，但是工艺库里面没有，我想的是用一个普通的NMOS管，利用他的电容特性，我也是做的AC仿真，利用那个电流与电容的关系得到电容的变化情况，但是就是得不到与理论的曲线一样的变化趋势.请教您一下，您说的这个低频时的曲线怎么得到的。利用普通的NMOS能实现吗？这是我连的一个电路图。不胜感激！

西决1998

受教

i0977454522

thanks

yfchao2333

最近也碰到了这个问题，分享下我的理解：

1）MOS管电容在高频和低频下的表现和mos管端口接法有关；
2）MOS管电容（mos transistor capacitor）和MOS电容（mos capacitor）不一样。

如P1图(c)所示，对于源、漏、衬底接一起的情况，无论低频还是高频，反型层电荷都可由n型区提供，故mos管电容在两种频率下都表现一致。

对于P1图(d)，这种情况下反型层电荷只能由多子是空穴的p衬底提供，无法响应高频信号，故mos电容在高频低频条件表现为不同的电容值。

也即我们在课本上常见的mos c-v曲线，如P2。

仿真也可验证上述说法，如P3P4。

参考资料：

1.https://www.chu.berkeley.edu/wp- ... h5-1.pdf#page=13.99