如何仿真高频下 MOS电容，谢谢

gaojun927 · 发表于 2012-4-24 17:04:28

我觉得你们考虑的方向偏了，这应该看model里是否支持高频低频不同的建模。如果模型不支持，用什么仿真方法都白搭。

archon1117 · 发表于 2012-4-24 22:36:20

回复 22# gaojun927

这位高人。。。。

你的这个思路，我还真没考虑过。。。。额额额

这个该如何判断呢？难道去查工艺库的manual嘛？？

我是个TSMC18的工艺，

manual里貌似没写这个啊，用的model就是工艺提供的nmoscap和pmoscap

gaojun927 · 发表于 2012-4-25 09:33:37

回复 23# archon1117

我手头没有书。但我印象中你给的这个电容曲线是mos电容的曲线，实际上我们平时用的是mos管电容，两个的特征是不同的。既然你是从半导体物理的书中找到这个问题的，那你可以看看是不是这样。mos电容就是 MOS结构，mos管电容有了源漏，所以提供反型层电荷的能力是不同的。从这个意义上说，两者是不同的器件。抛开模型不同的区别，即使两者是同一种器件，我的理解，ac仿不出的未必s参数能仿出，至少从spectre手册上看，它们的基本原理应该是同样的，只是表现方式不同，倒是tran和ac仿真应该有本质区别。而能否仿出来，要看模型是怎么建立的，模型对此有近似，仿真器就是无能为力的。而模型是怎么建立的，那只能看相应模型的paper了。

cocapepsi · 发表于 2012-4-25 09:54:59

学习~~

zhifj86 · 发表于 2012-4-25 10:34:10

回复 10# kwankwaner

请教下，如果是计算bondwire电感值，是L=1/（2*PI*freq*Im（Y11））么？我看资料怎么有的写得是Y21呢？谢谢

semico_ljj · 发表于 2012-4-25 11:50:20

回复 22# gaojun927

支持。。。

kwankwaner · 发表于 2012-4-25 11:57:59

回复 26# zhifj86

因为你bondwire是2端口啦，所以你要看两个端口间的，而不是一个端口对地的

kwankwaner · 发表于 2012-4-25 11:59:26

回复 23# archon1117

我用ADS仿过这个曲线的，模型是有的，你稍微也读读使用手册嘛。。。

archon1117 · 发表于 2012-4-25 12:07:41

回复 29# kwankwaner

我没用过ADS这个EDA软件啊。。。。

问题是，我的工艺库是基于cadence的啊，

能在ADS下仿真吗？

真是太感谢你的帮助了

kwankwaner · 发表于 2012-4-25 12:43:36

回复 30# archon1117

我说ads是为了说明我仿过模型是可以看出来的，工艺厂商不会把不同软件的模型做得差太多。所以你在spectre里面用其模型也能仿出来啊。

好吧，先建好你的电容，然后一端接地，一端接一个port，然后做sp仿真,之后看Y11，用计算器算出C的曲线

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