如何仿真高频下 MOS电容，谢谢

archon1117 · 发表于 2012-4-22 19:20:53

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论坛里有一些仿真MOS电容的内容，

我都已经看过了。

采用的仿真办法都是只能获得低频下 MOS电容特性曲线，如下图所示。
MOS Cap.jpg

因为论坛里的仿真办法都是利用ac仿真，然后仿交流电流，交流电流和电容成正比，在频率不变的情况下。

利用这种频率相关的方法仿真，无法得到高频下 MOS电容特性曲线，因为交流电流直接和频率成比例，改变频丝毫不能改变所得曲线的形状，

只是改变了value.

而从理论上讲，MOS电容在高频下和低频下的特性完全是不同的。

这一点在施敏，Pierret还有其他牛人写的器件类的书上都可以看到，毫无疑问。

现在求教，怎样仿真，才能得到上图所示的那个高频曲线，低频曲线可以轻易得到。

先谢谢了。

archon1117 · 发表于 2012-4-22 23:22:34

谢谢大家的关注

xyic · 发表于 2012-4-23 07:24:42

用S参数仿真。

archon1117 · 发表于 2012-4-23 13:07:54

回复 4# xyic

不太明白，能详细解释一下吗？

S参数是什么。。。

archon1117 · 发表于 2012-4-23 13:30:20

回复 4# xyic

又查了一下关于S参数的资料。

但是实在看不太懂，都是RF的内容，对RF一窍不通啊。。。

麻烦能详细解释下吗？

谢谢了

wocaishidac · 发表于 2012-4-23 13:52:25

用什么s-parameter，别把简单的问题搞复杂了
用个电压源，做ac仿真，measure电压源的电流，capacitance = Ii(电压源)/（2*pi*frequency）
Ii(电压源)指的是电压源输出电流的虚部

archon1117 · 发表于 2012-4-23 15:14:03

回复 7# wocaishidac

哥们，麻烦你再仔细看一下我的内容。

你那种方法就是通用的方法，绝对好用，没问题。

但是只能得出我那个图片中低频曲线，

就像你所说的 “capacitance = Ii(电压源)/（2*pi*frequency）”，当我改变频率时，只能得到同样形状的曲线，虽然值可以比例变化。

而事实上，由于MOS器件的物体特性，高频和低频电容是有很大区别的，如我上面所说。

我想要得到的是上面的那个高频曲线。

anyway，谢谢你的关注。

wocaishidac · 发表于 2012-4-23 15:50:39

回复 8# archon1117

没仔细看，不好意思。所谓的高频有多高？几个GHz的频率cap curve应该还是那个图里面的low freq curve

kwankwaner · 发表于 2012-4-23 15:52:22

只要会S参数仿真，然后仿出单端口的S参数，用S11转换为Y11，Y11的虚部再转换为电容值就行了

archon1117 · 发表于 2012-4-23 21:55:37

回复 9# wocaishidac

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