如何仿真高频下 MOS电容，谢谢

archon1117 · 发表于 2012-4-27 13:21:25

回复 31# kwankwaner

谢谢你的帮助。

但是我还是没搞明白，我也查了一些其他资料。

电容一端接port0，另一端接地，port0还得接个电感吧？

电感是不是选0或者1nH？

然后port是选用analoglib中的那个port吗？

太麻烦你了，真是谢谢你的帮助了。

kwankwaner · 发表于 2012-4-28 10:57:28

回复 32# archon1117

就是analogLib的port，不要接电感，把port的阻抗设为50ohm如果最后结果是归一化的别忘了×50，一端接电容，一端接地，电容一端接port，一端接地，大家组成了一个“门”字型，然后仿真，后面就按之前说的步骤来

pumpkinpbk · 发表于 2015-10-21 20:41:03

回复 22# gaojun927

这个回答感觉是所有回答里最有用的！

chenxf10 · 发表于 2016-1-13 09:20:17

本帖最后由 chenxf10 于 2016-1-13 09:23 编辑

Mos cap 和 mos transistor cap 是不一样的
胡正明的解释：

mos cap

mos cap curve

梦随心行 · 发表于 2018-4-19 12:14:57

回复 1# archon1117

您好，新手一枚，我在做压控振荡器，用到可变电容，但是工艺库里面没有，我想的是用一个普通的NMOS管，利用他的电容特性，我也是做的AC仿真，利用那个电流与电容的关系得到电容的变化情况，但是就是得不到与理论的曲线一样的变化趋势.请教您一下，您说的这个低频时的曲线怎么得到的。利用普通的NMOS能实现吗？这是我连的一个电路图。不胜感激！

西决1998 · 发表于 2023-4-18 10:50:26

受教

i0977454522 · 发表于 2023-6-20 12:14:34

thanks

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