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楼主: fuzhibo

[求助] 工艺角对带隙基准源的影响

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发表于 2012-3-30 15:30:28 | 显示全部楼层
我咋看不出问题呢
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发表于 2012-3-30 15:36:49 | 显示全部楼层
BTW,你的电流源也需要一个start-up电路比较保险
给DAC用的话,取决于你整个reference架构,有可能还需要个buffer
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发表于 2012-4-12 23:56:07 | 显示全部楼层
建议trim
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发表于 2012-4-19 11:31:53 | 显示全部楼层
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发表于 2012-4-19 11:44:16 | 显示全部楼层
学习了~
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发表于 2012-4-19 12:57:40 | 显示全部楼层
看看
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发表于 2012-6-5 11:31:20 | 显示全部楼层
学习学习了!
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发表于 2012-11-22 16:23:39 | 显示全部楼层
回复 9# TianBian365


    你好!为什么如果只有mosfet的ss、ff、tt下,输出基准基本不变?我看了一下工艺库文件,在ss、ff下阈值电压变化也有40mv左右,难道阈值电压对基准输出没有多大影响吗?
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发表于 2012-11-23 18:41:25 | 显示全部楼层
回复 18# vlearner

没有。bgr输出表达式里面不含vth这个变量。。。
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发表于 2013-3-14 15:31:44 | 显示全部楼层
MARK一下
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