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[求助] 有关memory compiler生成power ring的问题

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发表于 2012-2-26 12:53:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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RT,哪位大侠有artisan 65nm的memory compiler有关power ring方面的详细资料,求分享,谢过。
另外,如何设置参数来调整生成的power ring的宽度,条数。power ring的宽度怎么计算。
默认生成的power ring有三条,VDDPE,VDDCE,VSSE。VSSE的宽度为VDDPE和VDDCE的两倍。如何调整才能生成两条相同宽度的电地。
发表于 2015-9-11 09:11:07 | 显示全部楼层
有無答案呢
发表于 2015-9-11 13:09:27 | 显示全部楼层
65 不是用power grid么, 谁还用ring 类型的啊
发表于 2015-9-25 13:23:19 | 显示全部楼层
回复 3# icfbicfb


   请问:啥是Power Grid?
发表于 2015-9-25 13:27:17 | 显示全部楼层
电源网格, 你是哪家的vendor,
发表于 2016-4-8 08:38:47 | 显示全部楼层
回复 5# icfbicfb


    你好,我用UMC 65nm的也是这样的电源线。
    power grid在EDI设计和连线时有什么不同吗?有什么需要注意的地方吗?
发表于 2017-3-7 02:13:15 | 显示全部楼层
非常感谢你
发表于 2017-6-7 03:33:01 | 显示全部楼层
有無答案呢
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