请教DRC中有关density的问题

nicholas08 · 发表于 2011-12-29 11:39:07

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1.metal density比规定的上限值大了2-3%。这部分metal不走信号线，主要是走power线。请问这个问题需不需要非修不可。虽说这个影响的是yield,但会不会有一些潜在问题？

2.还有一类问题是两个区域之间的density之差不满足要求，这个会有什么影响？是不是非得修？

谢谢

nicholas08 · 发表于 2011-12-29 21:37:52

工艺是tsmc 65G。
在相邻250x250的区域内，密度差不能超过40。。看了一下，主要是因为corner和io pad也算了进去，造成其中一块的密度偏低。这个有什么关系吗？

icfbicfb · 发表于 2011-12-29 22:23:50

density属于DFM的问题，在小节点（ < 90nm ）和mass production的时候尤其重要，

一般来说赶MPW tapeout，如果density violation，  来不及就算了，

量产版最好改掉，如果说密度过大，就是要打slot，留点空隙，

如果是密度过小，就是要加dummy

但是corner 处的tsmc的是不需要完全加dummy的，  corner只有一部分需要加，最外面的
角上是不需要加的，选 dm_on_corner  false吧， tsmc dummy runset里面有控制的

nicholas08 · 发表于 2011-12-30 09:37:12

回复 4# icfbicfb

多谢版主。
我们现在是赶MPW.但时间上还很充裕。所以是不是还是尽量修掉？不修的话是不是多多少少会影响到一点yield的问题？会影响到performance吗？

另外像这种不同区域间的density差的问题。重要不重要？

wangyl321 · 发表于 2011-12-30 09:45:29

在我做过的TSMC工艺中，高Density不高于require的1%，比如要求80%， 80.8%一下是可以Waive的。

相邻区域Density DRC violation 从来都没有waive过。

40 nm,供参考,呵呵

nicholas08 · 发表于 2011-12-30 09:47:22

回复 6# wangyl321

请问相邻区域的DRC violation该怎么fix?
因为现在corner里面空的很厉害，还有pad里面。。所以按250x250的区域算的话，就差得很厉害。

icfbicfb · 发表于 2011-12-30 21:45:41

mpw 才几片啊，不就50片么，哪里有啥yield的问题

H3M · 发表于 2021-8-10 11:03:56

学习

supermanwc · 发表于 2021-8-10 15:04:14

如果不是io limited ，core里面很空会被经理骂的

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